特許
J-GLOBAL ID：200903009510637260
半導体装置のキャパシタ絶縁膜およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小岩井 雅行 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-318197
公開番号（公開出願番号）：特開平11-150246
出願日： 1997年11月19日
公開日（公表日）： 1999年06月02日
要約：
【要約】【課題】 3層構造の場合には、薄型化した場合にもキャパシタの静電容量を確保し、かつ、良好な絶縁性を保つことができるキャパシタ絶縁膜を提供することを目的(課題)とする。【解決手段】 基板1上に高濃度に不純物を含んだポリシリコンにより下層電極2を形成し、この下層電極2上に3層構造の絶縁膜3を形成し、最後に絶縁膜3上に上層電極4を下層電極2と同じく不純物を含むポリシリコンにより形成することにより構成されている。絶縁膜3は、下層電極2側から順に、第1のシリコン窒化膜(Si3N4)3a、シリコン酸化膜(SiO2)3b、第2のシリコン窒化膜(Si3N4)3cが重ねて構成されるN/O/Nの3層構造である。シリコン酸化膜3bの膜厚は3nm以上確保されており、第1、第2のシリコン窒化膜3a,3cの膜厚はほぼ等しくなるよう設定されている。
請求項（抜粋）：
シリコン酸化膜とシリコン窒化膜とから構成され、下層、上層の電極間に配置される半導体装置のキャパシタ絶縁膜において、前記下層電極に、第1のシリコン窒化膜、シリコン酸化膜、第2のシリコン窒化膜を順に積層して構成される3層構造であることを特徴とする半導体装置のキャパシタ絶縁膜。
IPC (5件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 21/318
H01L 27/10 651
, H01L 21/318 C
, H01L 27/04 C
