特許
J-GLOBAL ID：200903009515377134

半導体装置の製造方法

発明者：
土屋 裕紀

土屋 裕紀 について


出願人/特許権者：
株式会社シチズン電子

株式会社シチズン電子 について


代理人 (1件)： 浅川 哲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-250621
公開番号（公開出願番号）：特開2004-095580
出願日： 2002年08月29日
公開日（公表日）： 2004年03月25日
要約：
【課題】半導体素子を封止する樹脂封止体を所定の形状に精度よく成形できると共に、製造コストや工数の掛からない半導体装置の製造方法を提供することである。【解決手段】発光素子24を基板22に実装する実装工程と、前記実装した発光素子24を樹脂材で封止する封止工程とを備えた樹脂封止型の発光ダイオード21の製造方法において、前記封止工程によって樹脂成形された封止体26をX軸、Y軸及びZ軸方向の走査制御が可能なブレード29によって所定の形状に成形する。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
半導体素子を基板に実装する実装工程と、前記実装した半導体素子を樹脂材で封止する封止工程とを備えた半導体装置の製造方法において、 前記封止工程によって形成された樹脂封止体の表面を切削して、所定形状に成形することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L33/00 ,  H01L21/56
FI (2件)：
H01L33/00 N ,  H01L21/56 J
Fターム (13件)：
5F041AA41 ,  5F041DA07 ,  5F041DA12 ,  5F041DA19 ,  5F041DA42 ,  5F041DA47 ,  5F041DA55 ,  5F041DA75 ,  5F061AA01 ,  5F061BA04 ,  5F061CA21 ,  5F061CB13 ,  5F061FA01
引用特許：
審査官引用 (4件)
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-357466   出願人：三洋電機株式会社
  • 三次元造形方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-293589   出願人：ローランドディー.ジー.株式会社
  • 特開昭61-110477
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