特許

J-GLOBAL ID：200903044001924853

半導体装置の製造方法

発明者： 谷 孝行 ,  渋谷 隆生 ,  兵藤 治雄
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-357466
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186301
出願日： 1997年12月25日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：

【要約】【課題】 実装したときの有効面積率を向上でき、コストダウンが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 少なくともアイランド33とリード端子34を有する共通基板30を準備する。共通基板30に対して半導体チップ39ダイボンド、ワイヤボンドし、更に樹脂52を滴下して全ての半導体チップ39を共通に封止する。樹脂52の湾曲した表面を削って平坦面に加工し、その後樹脂52と共通基板30とを同時に切断して個々の半導体装置を切り出す。

請求項（抜粋）：

半導体チップを固着する為の複数個の素子搭載部を有する共通基板を準備する工程と、前記素子搭載部毎に半導体チップを固着する工程と、前記共通基板の上方から樹脂を供給して、前記半導体チップを含めて複数個の素子搭載部を連続した樹脂層で被覆する工程と、前記連続した樹脂層の上面を平坦面に加工する工程と、前記連続した樹脂層を、前記素子搭載部毎に、前記共通基板と共に切断して個々の半導体装置に分離する工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

FI (2件)：

H01L 21/56 E ,  H01L 21/56 Z

引用特許：

審査官引用 (4件)

• チップキャリアの構造およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-240366   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 半導体装置のパッケージ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-091869   出願人：池田毅
• ICカードモジユールの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-236484   出願人：富士通株式会社, 富士通ヴイエルエスアイ株式会社
• 受光ユニットおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-280129   出願人：シャープ株式会社