特許

J-GLOBAL ID：200903009515425090

半導体発光素子

発明者： 朝妻 庸紀 ,  平田 照二
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-065783
公開番号（公開出願番号）：特開2004-273955
出願日： 2003年03月11日
公開日（公表日）： 2004年09月30日
要約：

【課題】電流が特定領域へ集中して注入されるのを抑制してNFPを均一化し、フィラメンテーションを抑制して信頼性を向上させたブロードエリア型の半導体発光素子を提供する。【解決手段】レーザ光を出射する半導体発光素子であって、少なくとも第1導電型の第1クラッド層12と、活性層11と、第2導電型の第2クラッド層10の積層体を含む半導体積層体と、半導体積層体に電流を注入する電流注入ストライプ領域において、第1クラッド層12に接続するように、半導体積層体中に形成される共振器方向と異なる方向に領域を分断して半導体積層体の表面と接するように形成された第1電極15と、第2クラッド層10に接続するように半導体積層体の表面に形成された第2電極16とを有する構成とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

レーザ光を出射する半導体発光素子であって、 少なくとも第1導電型の第1クラッド層と、活性層と、第2導電型の第2クラッド層の積層体を含む半導体積層体と、 前記半導体積層体に電流を注入する電流注入ストライプ領域において、前記第1クラッド層に接続するように、前記半導体積層体中に形成される共振器方向と異なる方向に領域を分断して前記半導体積層体の表面と接するように形成された第1電極と、 前記第2クラッド層に接続するように前記半導体積層体の表面に形成された第2電極と を有する半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01S5/042

FI (1件)：

H01S5/042 612

Fターム (8件)：

5F073AA03 ,  5F073AA61 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CA12 ,  5F073CA14 ,  5F073DA30 ,  5F073EA18

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開昭56-069881
  
• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-005875   出願人：日本電気株式会社
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-243340   出願人：ソニー株式会社
• 特開昭57-027088
  
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-045983   出願人：日亜化学工業株式会社