特許
J-GLOBAL ID：200903068583043100
半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-243340
公開番号（公開出願番号）：特開2002-057402
出願日： 2000年08月10日
公開日（公表日）： 2002年02月22日
要約：
【要約】【課題】基板上へのダイボンディング時のストレスに起因する半導体中の結晶欠陥の発生や移動を抑制し、信頼性を高めた半導体発光素子を提供する。【解決手段】少なくとも第1導電型の第1クラッド層と、活性層ALと、第2導電型の第2クラッド層の積層体を含む半導体積層体10に対する電流注入ストライプ領域において第1電極12が形成されており、ここで、電流注入ストライプ領域内に、電流注入ストライプ領域を複数の領域に分断するパターンのスリットSLなど、所定のパターンの電極非形成領域が含まれており、第1電極12は、電極非形成領域を除く電流注入ストライプ領域に形成されている構成とする。
請求項（抜粋）：
レーザ光を出射する半導体発光素子であって、少なくとも第1導電型の第1クラッド層と、活性層と、第2導電型の第2クラッド層の積層体を含む半導体積層体と、上記半導体積層体に対する電流注入ストライプ領域において、上記第1クラッド層に接続するように上記半導体積層体の表面に形成された第1電極と、上記第2クラッド層に接続するように上記半導体積層体の表面に形成された第2電極とを有し、上記電流注入ストライプ領域内に所定のパターンの電極非形成領域が含まれており、当該電極非形成領域を除く上記電流注入ストライプ領域に上記第1電極が形成されている半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01S 5/042 610
, H01S 5/022
H01S 5/042 610
, H01S 5/022
5F073AA03
, 5F073AA11
, 5F073AA61
, 5F073AA74
, 5F073CA14
, 5F073DA30
, 5F073DA35
, 5F073EA28
, 5F073FA13
, 5F073FA21
