特許

J-GLOBAL ID：200903009551784447

シリコン基板の貫通加工方法、インクジェットヘッド及び検査装置

発明者： 中西 宏一郎
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (2件)： 西山 恵三 ,  内尾 裕一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-029258
公開番号（公開出願番号）：特開2008-198642
出願日： 2007年02月08日
公開日（公表日）： 2008年08月28日
要約：

【課題】 シリコン基板への微細な貫通形状の形成方法及び簡易な貫通確認方法の提供。【解決手段】 シリコン基板の貫通出口面にチタン薄膜を形成しておき、シリコン土台に貼り合わせ、エッチングで貫通させる。シリコン土台の裏面から赤外線を照射して貫通確認を行う。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板にドライエッチングによって貫通形状を形成するシリコン基板の加工方法に於いて、該ドライエッチングに於けるエッチングレートがシリコンと同程度もしくはシリコンより早く、かつ1000nmより長波長の電磁波を透過する材質の第2の基板に第1のシリコン基板を貼り付けて第1のシリコン基板の第2の基板と対向する面からドライエッチングで第1のシリコン基板に貫通加工を行う工程とを含み、第1のシリコン基板と第2の基板を貼り合わせた状態で1000nmより長波長の電磁波を照射して第1のシリコン基板と第2の基板の界面での透過特性の変化を検知することにより貫通確認を行う事を特徴とするシリコン基板の貫通加工方法。

IPC (4件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  B41J 2/135

FI (3件)：

H01L21/302 105A ,  H01L21/88 J ,  B41J3/04 103N

Fターム (19件)：

2C057AF93 ,  2C057AP32 ,  2C057AP60 ,  2C057AP82 ,  2C057AQ02 ,  5F004BA20 ,  5F004BB25 ,  5F004CB09 ,  5F004CB15 ,  5F004DA00 ,  5F004DA18 ,  5F004DB01 ,  5F004DB08 ,  5F004EB08 ,  5F033MM30 ,  5F033QQ15 ,  5F033WW00 ,  5F033XX33 ,  5F033XX37

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 基体のエッチング方法およびそれを用いた半導体デバイスの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-319532   出願人：ソニー株式会社
• 貫通孔加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-293131   出願人：カシオ計算機株式会社