特許

J-GLOBAL ID：200903009569808289

半導体素子内蔵配線基板およびその製造方法

発明者： 林 桂
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-218056
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044641
出願日： 1999年07月30日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：

【要約】【課題】半導体素子を内蔵し、基板の小型化と、素子の実装密度を高めることのできる半導体素子内蔵配線基板を提供する。【解決手段】少なくとも熱硬化性樹脂を含む複数の絶縁層を積層してなる絶縁基板と、該絶縁基板の表面および内部に形成された配線回路層と、金属粉末が充填されてなるビアホール導体とを具備する配線基板の表面または内部に半導体素子が内蔵され、前記半導体素子の電極と前記ビアホール導体あるいは前記配線回路層を電気的に接続してなる半導体素子内蔵配線基板において、前記基板に内蔵される半導体素子の上下面の少なくとも一方の前記絶縁層との間に前記熱硬化性樹脂の硬化温度よりも低いガラス転移点を持つ樹脂層を形成する。

請求項（抜粋）：

少なくとも熱硬化性樹脂を含む複数の絶縁層を積層してなる絶縁基板と、該絶縁基板の表面および内部に形成された配線回路層と、金属粉末が充填されてなるビアホール導体とを具備する配線基板の表面または内部に半導体素子が内蔵され、前記半導体素子の電極と前記ビアホール導体あるいは前記配線回路層を電気的に接続してなる半導体素子内蔵配線基板において、前記基板に内蔵される半導体素子の上下面の少なくとも一方の前記絶縁層との間に前記熱硬化性樹脂の硬化温度よりも低いガラス転移点を持つ樹脂層を形成したことを特徴とする半導体素子内蔵配線基板。

IPC (3件)：

H05K 3/46 ,  H01L 21/56 ,  H05K 1/03 610

FI (3件)：

H05K 3/46 Q ,  H01L 21/56 R ,  H05K 1/03 610 L

Fターム (19件)：

5E346AA43 ,  5E346CC04 ,  5E346CC08 ,  5E346CC09 ,  5E346CC32 ,  5E346DD23 ,  5E346FF07 ,  5E346FF13 ,  5E346FF18 ,  5E346FF45 ,  5E346GG08 ,  5E346GG09 ,  5E346GG15 ,  5E346GG28 ,  5E346HH31 ,  5F061AA02 ,  5F061BA04 ,  5F061CA22 ,  5F061CB03

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 配線基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-231217   出願人：京セラ株式会社
• 特開平4-267588
  
• 多層配線基板および該多層配線基板を用いた半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-325864   出願人：松下電器産業株式会社