特許

J-GLOBAL ID：200903009598428525

金属内包カーボンナノチューブの製造方法

発明者： 林 靖彦 ,  徳永 智春 ,  藤 昇一 ,  金子 賢治 ,  曽我 哲夫 ,  神保 孝志
出願人/特許権者： 独立行政法人科学技術振興機構
代理人 (1件)： 西澤 利夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-344405
公開番号（公開出願番号）：特開2005-104814
出願日： 2003年10月02日
公開日（公表日）： 2005年04月21日
要約：

【目的】 金属が内包されたカーボンナノチューブを簡単に効率よく製造する。【構成】 シリコン基板(1)の表面にSiO2、SiNx、Mo又はWのいずれか一種の第1の薄膜(2)を形成させ、第1の薄膜の表面にカーボンナノチューブに内包させる金属による第2の薄膜(3)を形成させた後、第2の薄膜をナノパーティクル状にし、金属ナノパーティクルを起点としてカーボンナノチューブ(4)を成長させることにより、カーボンナノチューブの先端に存在する金属ナノパーティクルの一部から金属が、第1の薄膜表面上の金属ナノパーティクルに向かって延び、金属がカーボンナノチューブに内包される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

金属が内包されたカーボンナノチューブの製造方法であり、シリコン基板の表面にSiO2、SiNx、Mo又はWのいずれか一種の第1の薄膜を形成させ、第1の薄膜の表面にカーボンナノチューブに内包させる金属による第2の薄膜を形成させた後、第2の薄膜をナノパーティクル状にし、金属ナノパーティクルを起点としてカーボンナノチューブを成長させることにより、カーボンナノチューブの先端に存在する金属ナノパーティクルの一部から金属が、第1の薄膜表面上の金属ナノパーティクルに向かって延び、金属がカーボンナノチューブに内包されることを特徴とする金属内包カーボンナノチューブの製造方法。

IPC (1件)：

C01B31/02

FI (1件)：

C01B31/02 101F

Fターム (12件)：

4G146AA11 ,  4G146AA13 ,  4G146AA16 ,  4G146AD28 ,  4G146BA12 ,  4G146BB23 ,  4G146BC15 ,  4G146BC18 ,  4G146BC25 ,  4G146BC33B ,  4G146BC43 ,  4G146BC44

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 異物質内包カーボンナノチューブとその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-341747   出願人：日本電気株式会社

審査官引用 (1件)

• 製品の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-045300   出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド