特許
J-GLOBAL ID:200903009614620318
セラミックフィルムの形成方法及びセラミックフィルム
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
石田 敬 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-372712
公開番号(公開出願番号):特開2001-226171
出願日: 2000年12月07日
公開日(公表日): 2001年08月21日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】メソポーラスシリカフィルムなどのセラミックフィルムをシリコンウェハなどの基板上に提供する方法である。【解決手段】セラミック前駆体、触媒、界面活性剤および溶媒からなるフィルム形成性液体を調製する工程、前記フィルム形成性液体を前記基板上に置く工程および基板上のフィルム形成性液体から溶媒を除去して、前記基板上にセラミックフィルムを製造する工程を含む。前記セラミックフィルムは2.3未満の誘電率、1ppm未満のハライド含量および500ppm未満の金属含量を有するので、現在および将来のマイクロエレクトロニクス用途に有用である。
請求項(抜粋):
セラミック前駆体、触媒、界面活性剤および溶媒からなるフィルム形成性液体を調製する工程、前記フィルム形成性液体を前記基板上に置く工程および前記基板上の前記フィルム形成性液体から前記溶媒を除去して、前記基板上にセラミックフィルムを製造する工程からなり、前記セラミックフィルムが2.3未満の誘電率および500ppm未満の金属含量を有することを特徴とする基板上にセラミックフィルムを製造する方法。
IPC (5件):
C04B 35/622
, C09D 1/00
, C09D183/02
, C09D185/00
, H05K 3/46
FI (5件):
C09D 1/00
, C09D183/02
, C09D185/00
, H05K 3/46 T
, C04B 35/00 E
引用特許: