特許
J-GLOBAL ID：200903009619113058
面発光レーザの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-152893
公開番号（公開出願番号）：特開2003-347669
出願日： 2002年05月27日
公開日（公表日）： 2003年12月05日
要約：
【要約】【課題】高品質かつ高信頼性の優れた単一横モードが安定して得られる高品質かつ高信頼性な面発光レーザを提供する。【解決手段】InP基板1上に活性層3を作製し、次いで活性層3をメサ形状に加工してInP基板1上にディスク4を複数個配し、続けてInP基板1より取り除かれた各ディスク4を用いて、順次下記(1)〜(7)の各工程を経る面発光レーザの製造方法。(1)基板5上に反射層6と凹部形成用の層7とを順次形成し反射部材を作製する。(2)反射部材の凹部形成用の層7に凹部8を形成する。(3)凹部8にディスク4を配置する。(4)基板9上に反射層10を形成してなる他の反射部材を配置する。(5)他の反射部材の基板9を除去する。(6)他の反射部材の反射層10をメサ加工する。(7)他の反射部材の反射層10上ならびに反射部材の基板5の他主面上に電極を形成する。
請求項（抜粋）：
InP基板の一主面にIn<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>As<SB>y</SB>P<SB>1-y</SB>系半導体(0<x、0<y=1)の多層膜からなる活性層を結晶成長法により作製し、次いでこの活性層をメサ形状に加工してInP基板上に活性層チップを複数個配し、続けて上記InP基板より取り除かれた各活性層チップを用いて、順次下記(1)〜(7)の各工程を経ることを特徴とする面発光レーザの製造方法。(1)GaAsまたはSiからなる基板上に結晶成長法によってGaAs/Al<SB></SB><SB>z</SB>Ga<SB>1-z</SB>As半導体(0<Z)からなる反射層と凹部形成用の層とを順次形成して反射部材を作製する。(2)前記反射部材における凹部形成用の層に凹部を形成する。(3)上記凹部に活性層チップを配置する。(4)これら凹部を配した面上に、GaAsまたはSiからなる基板上に結晶成長法によってGaAs/Al<SB>z</SB>Ga<SB>1-z</SB>As半導体(0<Z)からなる反射層を形成してなる他の反射部材を配置する。(5)他の反射部材の基板を除去する。(6)他の反射部材の反射層をメサ加工する。(7)他の反射部材の反射層上ならびに反射部材の基板の他主面上にそれぞれ電極を形成する。
Fターム (5件)：
5F073AB17
, 5F073BA02
, 5F073CA04
, 5F073CA12
, 5F073DA35
