特許

J-GLOBAL ID：200903009645565455

半導体装置及びその作製方法

発明者： 山崎 舜平
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-246064
公開番号（公開出願番号）：特開平11-068113
出願日： 1997年08月26日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：

【要約】【課題】 結晶化に利用した触媒元素を活性層中から徹底的に排除する技術を提供する。【解決手段】 下地となる絶縁基板101上に意図的に凹部102〜104を形成する。そして、その上に非晶質珪素膜105を設け、結晶化する。さらに、ハロゲン元素を含む雰囲気中で加熱処理を行い、結晶化に利用した触媒元素を気相中に除去すると同時に、凹部102〜104に偏析させることで徹底的に触媒元素が除去された珪素膜114を得ることができる。

請求項（抜粋）：

絶縁表面を有する基体の表面に意図的にエッジ部が形成され、前記エッジ部を避けて前記絶縁表面上に結晶性珪素膜でなる活性層が形成されている構成を有する半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/12

FI (5件)：

H01L 29/78 627 G ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/12 R ,  H01L 29/78 612 B ,  H01L 29/78 626 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 多結晶シリコン膜の形成方法および薄膜トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-084373   出願人：シャープ株式会社
• 薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-236392   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-216608   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体薄膜の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-032872   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所