半導体装置の作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-216608
公開番号（公開出願番号）：特開平9-045616
出願日： 1995年08月02日
公開日（公表日）： 1997年02月14日
要約：

【要約】【目的】珪素の結晶化を助長する金属元素を利用して結晶性珪素膜を得る方法において、金属元素の影響を抑制する。【構成】所定のパターニングがされた非晶質珪素膜103の表面にニッケル元素104を接して保持させる。次に加熱処理を加えるころにより、結晶性珪素膜105を得る。この時、パターンの縁の領域106にニッケル元素が偏析する。そしてさらにマスク107を用いてパターニングを行うことによって、金属元素の集中した領域のない結晶性珪素膜100を得る。そしてこの結晶性珪素膜100を活性層として薄膜トランジスタを作製する。

請求項（抜粋）：

絶縁表面を有する基板上に非晶質珪素膜を成膜する工程と、前記非晶質珪素膜を所定のパターンにパターニングする工程と、前記非晶質珪素膜に接して珪素の結晶化を助長する金属元素を接して保持させる工程と、加熱処理を加え前記非晶質珪素膜を結晶化させ結晶性珪素膜に変成する工程と、前記結晶性珪素膜のパターンの周囲をエッチングする工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 , H01L 27/12 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/20 , H01L 27/12 R , H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-319904 出願人：シャープ株式会社
薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-297647 出願人：カシオ計算機株式会社
半導体およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-162704 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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