特許

J-GLOBAL ID：200903009656346305

窒化物系半導体発光素子

発明者： ヒョクミン リ ,  インジュン ピョン ,  ヒョン-ジュ パク ,  ヒョンギョン キム ,  ドンジュン キム ,  ヒョンス シン
出願人/特許権者： 三星電機株式会社
代理人 (1件)： 高村 順
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-282663
公開番号（公開出願番号）：特開2007-116158
出願日： 2006年10月17日
公開日（公表日）： 2007年05月10日
要約：

【課題】同一の単位面積のLEDチップサイズ内で低い駆動電圧を具現できる窒化物系半導体発光素子を提供する。【解決手段】窒化物系半導体発光素子は、基板100と、前記基板上に形成されているn型窒化物半導体層120と、前記n型窒化物半導体層上の所定領域に形成されている活性層130と、前記活性層上に形成されているp型窒化物半導体層140と、前記p型窒化物半導体層上に形成されている電流拡散層と、前記電流拡散層上に2つのp型枝電極を有して形成されているp型電極150と、前記活性層が形成されていないn型窒化物半導体層上に、一個のn型枝電極を有して形成されているn型電極160とを備え、前記n型枝電極が、前記2つのp型枝電極の間に挿入された構造で形成されており、前記n型電極と隣接した透明電極170の最外郭の辺からそれと隣接したp型電極までの距離が同一である。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

基板と、 前記基板上に形成されているn型窒化物半導体層と、 前記n型窒化物半導体層上の所定領域に形成されている活性層と、 前記活性層上に形成されているp型窒化物半導体層と、 前記p型窒化物半導体層上に形成されている電流拡散層と、 前記電流拡散層上に2つのp型枝電極を有して形成されているp型電極と、 前記活性層が形成されていないn型窒化物半導体層上に、一個のn型枝電極を有して形成されているn型電極と を備え、 前記n型枝電極は、前記2つのp型枝電極の間に挿入された構造で形成されており、前記n型電極と隣接した透明電極の最外郭の辺からそれと隣接したp型電極までの距離が同一である ことを特徴とする窒化物系半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (2件)：

H01L33/00 E ,  H01L33/00 C

Fターム (5件)：

5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA88 ,  5F041CA93

引用特許：

審査官引用 (2件)

• III族窒化物系化合物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-101990   出願人：豊田合成株式会社
• 窒化物半導体発光素子、発光素子、素子積層体、並びにそれらを用いた発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-149138   出願人：日亜化学工業株式会社