特許
J-GLOBAL ID：200903056005530610

窒化物半導体発光素子、発光素子、素子積層体、並びにそれらを用いた発光装置

発明者：
楠瀬 健

楠瀬 健 について

, 
三賀 大輔

三賀 大輔 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


代理人 (2件)： 豊栖 康弘 ,  石井 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-149138
公開番号（公開出願番号）：特開2004-056109
出願日： 2003年05月27日
公開日（公表日）： 2004年02月19日
要約：
【課題】発光面全体に渡って均一な発光が得られる窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】基板上に、n型層、活性層及びp型層が積層されてなる積層体を備え、その積層体はn側の電極をライン状に形成するためにn型層表面が露出された互いに平行なn電極形成領域を有し、そのn電極形成領域にそれぞれnライン電極が形成され、p型層のほぼ全面に透光性電極が形成されており、nライン電極は、互いに分離されて等間隔に配置されかつ各nライン電極の一端にはそれぞれnパッド電極が形成され、透光性電極上には、nライン電極と交互に配置されかつ隣接するnライン電極から等距離になるようにライン状の電流拡散導体が形成され、その電流拡散導体の一端にそれぞれpパッド電極が形成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に、n型層、活性層及びp型層が積層されてなる積層体を備え、その積層体はn側の電極をライン状に形成するために上記n型層表面が露出された互いに平行なn電極形成領域を有し、そのn電極形成領域にそれぞれnライン電極が形成され、上記p型層のほぼ全面に透光性電極が形成された窒化物半導体発光素子において、 上記nライン電極は、互いに分離されて等間隔に配置されかつ各nライン電極の一端にはそれぞれnパッド電極が形成され、 上記透光性電極上には、上記nライン電極と交互に配置されかつ隣接するnライン電極から等距離になるようにライン状の電流拡散導体が形成され、その電流拡散導体の一端にそれぞれpパッド電極が形成されたことを特徴とする窒化物半導体発光素子。
IPC (6件)：
H01L33/00 ,  C09K11/59 ,  C09K11/65 ,  C09K11/66 ,  C09K11/67 ,  C09K11/80
FI (7件)：
H01L33/00 E ,  H01L33/00 C ,  C09K11/59 ,  C09K11/65 ,  C09K11/66 ,  C09K11/67 ,  C09K11/80
Fターム (55件)：
4H001CA04 ,  4H001XA04 ,  4H001XA06 ,  4H001XA07 ,  4H001XA08 ,  4H001XA12 ,  4H001XA13 ,  4H001XA14 ,  4H001XA20 ,  4H001XA21 ,  4H001XA22 ,  4H001XA30 ,  4H001XA31 ,  4H001XA32 ,  4H001XA38 ,  4H001XA39 ,  4H001XA40 ,  4H001XA49 ,  4H001XA50 ,  4H001XA56 ,  4H001XA57 ,  4H001XA58 ,  4H001XA62 ,  4H001XA63 ,  4H001XA64 ,  4H001XA65 ,  4H001XA71 ,  4H001XA72 ,  4H001YA58 ,  4H001YA59 ,  4H001YA63 ,  5F041AA05 ,  5F041AA11 ,  5F041AA23 ,  5F041CA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA13 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA82 ,  5F041CA83 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041CB36 ,  5F041DA04 ,  5F041DA07 ,  5F041DA09 ,  5F041DA12 ,  5F041DA19 ,  5F041DA36 ,  5F041DA43 ,  5F041DA74 ,  5F041DB09
引用特許：
審査官引用 (2件)
  • III族窒化物系化合物半導体素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-101990   出願人：豊田合成株式会社
  • LED装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-124556   出願人：松下電工株式会社

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