特許
J-GLOBAL ID:200903009662319255

半導体封止用エポキシ樹脂組成物、半導体装置およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 渡辺 望稔 ,  三和 晴子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-097220
公開番号(公開出願番号):特開2008-255178
出願日: 2007年04月03日
公開日(公表日): 2008年10月23日
要約:
【課題】耐湿性と耐マイグレーション性を両立させた半導体、特にCOF型半導体封止用エポキシ樹脂組成物、該組成物を封止剤として用いてなる半導体装置および該半導体装置の製造方法の提供。【解決手段】エポキシ樹脂(A)、芳香族アミン(B)、金属錯体(C)、カップリング剤(D)およびシラン(E)を含み、エポキシ樹脂(A)と芳香族アミン(B)の合計量100質量部に対して金属錯体(C)が0.2〜3.0質量部、カップリング剤(D)およびシラン(E)が合わせて3.0〜5.5質量部である、低粘度の半導体封止用エポキシ樹脂組成物、該組成物を用いてなる半導体装置および該半導体装置の製造方法。【選択図】図1
請求項(抜粋):
エポキシ樹脂(A)、芳香族アミン(B)、金属錯体(C)、カップリング剤(D)およびシラン化合物(E)を含み、エポキシ樹脂(A)と芳香族アミン(B)の合計量100質量部に対して金属錯体(C)が0.2〜3.0質量部、カップリング剤(D)およびシラン化合物(E)が合わせて3.0〜5.5質量部である低粘度の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
IPC (7件):
C08L 63/00 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  C08K 5/18 ,  C08K 5/541 ,  C08K 5/07 ,  C08G 59/50
FI (6件):
C08L63/00 C ,  H01L23/30 R ,  C08K5/18 ,  C08K5/5415 ,  C08K5/07 ,  C08G59/50
Fターム (47件):
4J002CD021 ,  4J002CD051 ,  4J002CD061 ,  4J002CD092 ,  4J002CD131 ,  4J002CD151 ,  4J002EC078 ,  4J002EE047 ,  4J002EN066 ,  4J002EN076 ,  4J002EN126 ,  4J002EX039 ,  4J002EX068 ,  4J002EX078 ,  4J002FD146 ,  4J002FD152 ,  4J002FD157 ,  4J002FD158 ,  4J002FD159 ,  4J002GJ02 ,  4J002GQ05 ,  4J036AA01 ,  4J036AD08 ,  4J036AF06 ,  4J036AH01 ,  4J036AJ09 ,  4J036AJ10 ,  4J036AJ11 ,  4J036AJ21 ,  4J036DC02 ,  4J036DC03 ,  4J036DC10 ,  4J036DC16 ,  4J036DD04 ,  4J036GA15 ,  4J036GA17 ,  4J036GA28 ,  4J036JA07 ,  4M109AA01 ,  4M109BA05 ,  4M109CA05 ,  4M109EA02 ,  4M109EB02 ,  4M109EB04 ,  4M109EB06 ,  4M109EC01 ,  4M109EC07
引用特許:
出願人引用 (2件)
  • 特開昭61-12722号公報
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2004-152372   出願人:シャープ株式会社
審査官引用 (4件)
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