特許
J-GLOBAL ID:200903097994725083
半導体装置
発明者:
,
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出願人/特許権者:
代理人 (4件):
特許業務法人原謙三国際特許事務所
, 原 謙三
, 木島 隆一
, 金子 一郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-152372
公開番号(公開出願番号):特開2005-333085
出願日: 2004年05月21日
公開日(公表日): 2005年12月02日
要約:
【課題】 配線からの金属イオンの析出によるマイグレーション発生を防止できる、高信頼性の半導体装置を提供する。【解決手段】 ベースフィルム1に複数の配線9が配置されたフレキシブル配線基板11と、上記フレキシブル配線基板11に搭載された半導体チップ5と、フレキシブル配線基板11と半導体チップ5との間に、少なくとも一部が配線9に接するように配置された封止樹脂6を有し、封止樹脂6に金属イオン結合剤が混合されている。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
基材に複数の配線が配置された配線基板と、
上記配線基板に搭載された半導体素子と、を含む半導体装置において、
金属イオン結合剤が、上記配線と接する部材の材料に混合されている、または、上記配線表面に添加されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件):
H01L23/29
, H01L21/60
, H01L23/31
FI (2件):
H01L23/30 R
, H01L21/60 311Q
Fターム (6件):
4M109AA01
, 4M109BA05
, 4M109CA04
, 4M109EB18
, 5F044MM03
, 5F044RR17
引用特許:
出願人引用 (1件)
審査官引用 (26件)
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特開平1-294765
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特開平1-294765
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特開昭61-012772
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