特許

J-GLOBAL ID：200903009663501669

真空成膜装置用部品とそれを用いた真空成膜装置

発明者： 矢部 洋一郎 ,  中村 隆 ,  佐藤 道雄 ,  高阪 泰郎 ,  堅田 富夫 ,  和田 純一 ,  坂田 敦子 ,  木下 和哉 ,  松山 日出人 ,  渡邊 光一
出願人/特許権者： 株式会社東芝 ,  東芝電子エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-164944
公開番号（公開出願番号）：特開2002-356765
出願日： 2001年05月31日
公開日（公表日）： 2002年12月13日
要約：

【要約】【課題】 真空成膜装置で内部応力が大きい薄膜を成膜する際に、成膜工程中に付着する成膜材料の剥離を安定かつ有効に防止し、装置クリーニングや部品の交換などに伴う生産性の低下や成膜コストの増加を抑える。【解決手段】 Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、W、Ru、Pd、Ir、Pt、Ag、AuおよびInから選ばれる金属元素の単体、もしくは前記金属元素を含む合金または化合物の薄膜を成膜する真空成膜装置の構成部品である。装置構成部品1は、部品本体2と、この部品本体2の表面に形成され、膜厚が300μm以上のCu溶射膜3とを具備する。Cu溶射膜3はビッカース硬さでHv100以下の硬度を有する。さらに、Cu溶射膜は算術平均粗さRaで15〜35μmの範囲の表面粗さを有する。

請求項（抜粋）：

Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、W、Ru、Pd、Ir、Pt、Ag、AuおよびInから選ばれる金属元素の単体、もしくは前記金属元素を含む合金または化合物の薄膜を成膜する真空成膜装置の構成部品であって、部品本体と、前記部品本体の表面に形成され、膜厚が300μm以上のCu溶射膜とを具備することを特徴とする真空成膜装置用部品。

IPC (3件)：

C23C 14/00 ,  C23C 4/08 ,  C23C 16/44

FI (3件)：

C23C 14/00 B ,  C23C 4/08 ,  C23C 16/44 J

Fターム (16件)：

4K029DA01 ,  4K029DA09 ,  4K029DA10 ,  4K030KA08 ,  4K030KA12 ,  4K030KA47 ,  4K031AA01 ,  4K031AB02 ,  4K031AB03 ,  4K031AB11 ,  4K031CA02 ,  4K031CB07 ,  4K031CB34 ,  4K031CB35 ,  4K031DA03 ,  4K031FA01

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 真空薄膜形成装置等の洗浄方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-027639   出願人：株式会社ネオス
• スパッタリング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-215033   出願人：日本ファウンドリー株式会社
• 真空成膜装置用部品とそれを用いた真空成膜装置、およびターゲット、バッキングプレート
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-086487   出願人：株式会社東芝
• 真空成膜装置用部品とそれを用いた真空成膜装置、およびターゲット装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-399263   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (4件)

• 真空薄膜形成装置等の洗浄方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-027639   出願人：株式会社ネオス
• スパッタリング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-215033   出願人：日本ファウンドリー株式会社
• 真空成膜装置用部品とそれを用いた真空成膜装置、およびターゲット、バッキングプレート
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-086487   出願人：株式会社東芝
• 真空成膜装置用部品とそれを用いた真空成膜装置、およびターゲット装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-399263   出願人：株式会社東芝