半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)： ▲角▼谷浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-049006
公開番号（公開出願番号）：特開2006-237223
出願日： 2005年02月24日
公開日（公表日）： 2006年09月07日
要約：

【課題】従来の半導体装置では、過電圧から素子を保護するために設けられたN型の拡散領域が狭く、ブレークダウン電流が集中し、保護用のPN接合領域が破壊されてしまうという問題があった。【解決手段】本発明の半導体装置では、基板2とエピタキシャル層3とに渡りN型の埋込拡散層4が形成されている。P型の埋込拡散層5が、N型の埋込拡散層4上面の広い領域に渡り形成され、過電圧保護用のPN接合領域17が形成されている。P型の拡散層6が、P型の埋込拡散層5と連結するように形成されている。PN接合領域17のブレークダウン電圧は、ソース-ドレイン間のブレークダウン電圧よりも低い。この構造により、ブレークダウン電流の集中を防止し、過電圧から半導体装置を保護することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

一導電型の半導体基板と、前記半導体基板上に形成されている逆導電型のエピタキシャル層と、前記半導体基板と前記エピタキシャル層とに渡り形成されている逆導電型の埋込拡散層と、前記逆導電型の埋込拡散層上に形成され、前記逆導電型の埋込拡散層との第1の接合領域を有している一導電型の埋込拡散層と、前記エピタキシャル層に形成され、バックゲート領域として用いられている一導電型の第1の拡散層と、前記一導電型の第1の拡散層に形成され、ソース領域として用いられている逆導電型の第1の拡散層と、前記エピタキシャル層上に形成されているゲート酸化膜及びゲート電極と、前記エピタキシャル層に形成され、ドレイン領域として用いられ、且つ前記一導電型の第1の拡散層との第2の接合領域を有している逆導電型の第2の拡散層と、前記エピタキシャル層に形成され、前記エピタキシャル層上方で前記逆導電型の第2の拡散層と電気的に接続されている逆導電型の第3の拡散層とを有し、前記第1の接合領域のブレークダウン電圧は、前記第2の接合領域のブレークダウン電圧よりも低いことを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/78 , H01L 27/06 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/088 , H01L 21/823

FI (5件)：

H01L29/78 301K , H01L27/06 311B , H01L27/04 H , H01L27/08 102F , H01L29/78 301X

Fターム (54件)：

5F038BH05 , 5F038BH13 , 5F038EZ12 , 5F038EZ13 , 5F038EZ20 , 5F048AA02 , 5F048AC10 , 5F048BA02 , 5F048BA07 , 5F048BA13 , 5F048BB20 , 5F048BC03 , 5F048BC07 , 5F048BE01 , 5F048BE02 , 5F048BE05 , 5F048BE09 , 5F048BF17 , 5F048BF18 , 5F048BH01 , 5F048BH02 , 5F048CC06 , 5F048CC13 , 5F048CC16 , 5F048CC18 , 5F140AA17 , 5F140AA32 , 5F140AA39 , 5F140AB06 , 5F140AC21 , 5F140BA01 , 5F140BA16 , 5F140BD19 , 5F140BF04 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BF44 , 5F140BH17 , 5F140BH30 , 5F140BH43 , 5F140BH47 , 5F140BJ03 , 5F140BJ11 , 5F140BJ17 , 5F140BJ27 , 5F140BK26 , 5F140CA02 , 5F140CA03 , 5F140CB01 , 5F140CC03 , 5F140CC07 , 5F140CD02 , 5F140DA06 , 5F140DA08

引用特許：

出願人引用 (1件)

HV-LDMOST型の半導体装置
公報種別：公表公報出願番号：特願平9-506484 出願人：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ

審査官引用 (1件)

RESURトランジスタを含む半導体部品及びその製造方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2004-549971 出願人：フリースケールセミコンダクターインコーポレイテッド

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