特許

J-GLOBAL ID：200903031816153369

RESURトランジスタを含む半導体部品及びその製造方法

発明者： ケームカ、ビシュヌ ,  パーササラシー、ビジェイ ,  ジュ、ロングア ,  ボース、アミタバ
出願人/特許権者： フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 桑垣 衛
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-549971
公開番号（公開出願番号）：特表2006-505136
出願日： 2003年09月23日
公開日（公表日）： 2006年02月09日
要約：

半導体部品はRESURFトランジスタ(100,200,300,400,500)を備え、RESURFトランジスタは、第1の導電型の第1半導体領域(110,210,310,410,510)と、第1半導体領域の上方に位置する第2の導電型の電気的浮遊半導体領域(115,215,315,415,515,545)と、を含む。RESURFトランジスタは更に、電気的浮遊半導体領域の上方に位置する第1の導電型の第2半導体領域(120,220,320,420,520)と、第2半導体領域の上方に位置する第1の導電型の第3半導体領域(130,230)と、そして第2半導体領域の上方に位置する第2の導電型の第4半導体領域(140,240,340,440,540)と、を含む。特定の実施形態では、第4半導体領域及び電気的浮遊半導体領域は、逆バイアスが第3半導体領域と第4半導体領域との間に印加されると第2半導体領域を空乏化する。

請求項（抜粋）：

RESURFトランジスタ(100,200)を備える半導体部品であって、 RESURFトランジスタ(100,200)は、 第1の導電型を有する第1半導体領域(110,210)と、 第2の導電型を有し、かつ第1半導体領域の上方に位置する第1電気的浮遊半導体領域(115,215)と、 第1の導電型を有し、かつ第1電気的浮遊半導体領域の上方に位置する第2半導体領域(120,220)と、 第1の導電型を有し、かつ第2半導体領域の上方に位置する第3半導体領域(130,230)と、 第2の導電型を有し、かつ第2半導体領域の上方に位置する第4半導体領域(140,240)とを含み、 第4半導体領域及び第1電気的浮遊半導体領域は、逆バイアスが第3半導体領域と第4半導体領域との間に印加されると、第2半導体領域を空乏化する、半導体部品。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/823

FI (3件)：

H01L29/78 301D ,  H01L27/08 102A ,  H01L29/78 301X

Fターム (25件)：

5F048AA05 ,  5F048AC06 ,  5F048BA02 ,  5F048BA06 ,  5F048BA12 ,  5F048BB20 ,  5F048BC03 ,  5F048BC07 ,  5F048BD01 ,  5F048BD04 ,  5F048BE09 ,  5F048BH03 ,  5F140AA18 ,  5F140AA25 ,  5F140AB01 ,  5F140AC21 ,  5F140BA16 ,  5F140BB13 ,  5F140BD19 ,  5F140BF44 ,  5F140BH30 ,  5F140BH43 ,  5F140BH47 ,  5F140BH50 ,  5F140CD02

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-353945   出願人：三菱電機株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• "Implementation of high-side high-voltage RESURF LDMOS in a sub-half micron smart power technology"