特許
J-GLOBAL ID：200903009676624646

半導体レーザアレー

発明者：
有賀 麻衣子

有賀 麻衣子 について

, 
横内 則之

横内 則之 について


出願人/特許権者：
古河電気工業株式会社

古河電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 稲垣 清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-134102
公開番号（公開出願番号）：特開2002-329936
出願日： 2001年05月01日
公開日（公表日）： 2002年11月15日
要約：
【要約】【課題】 半導体レーザ素子を集積化した半導体レーザアレーにおいて、熱抵抗Rthのばらつきを抑え、各半導体レーザ素子の光出力の均一化を図る。【解決手段】 本半導体レーザアレー40は、二次元アレーであって、アレー本体22と、アレー本体の周囲に沿って設けられ、アレー本体の側面に熱的に一様に接続されている環状の熱伝導部42と、アレー本体及び環状の熱伝導部に熱的に接続され、かつアレー本体及び環状の熱伝導部の外周輪郭より大きな外周輪郭のSi製のヒートシンク44を備えている。アレー本体は、縦5列、横5行の合計25ヶの面発光型半導体レーザ素子1をアレー状に配置したものである。熱伝導部42は、素子1が形成されている半導体基板2と熱伝導度が同じになるように、同じ半導体基板で形成されていて、幅Wが素子1の一辺の長さaの1/2に等しい。
請求項（抜粋）：
一次元バー状の平面配置で、又は二次元アレー状の平面配置で、複数個の面発光型半導体レーザ素子を一つの半導体基板上に形成してなる半導体レーザアレーにおいて、面発光型半導体レーザ素子が形成されている半導体基板と略同一の熱伝導度の均質な材料からなる熱伝導部が、半導体レーザアレーの外周に沿って、面発光型半導体レーザ素子が形成されている半導体基板の延長部として設けてあることを特徴とする半導体レーザアレー。
IPC (2件)：
H01S 5/42 ,  H01S 5/022
FI (2件)：
H01S 5/42 ,  H01S 5/022
Fターム (9件)：
5F073AB02 ,  5F073AB17 ,  5F073BA01 ,  5F073BA04 ,  5F073CA04 ,  5F073CB02 ,  5F073EA15 ,  5F073FA13 ,  5F073GA01
引用特許：
審査官引用 (5件)
  • 微小電子源
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-288476   出願人：富士通株式会社
  • 特開平4-188688
  • 半導体発光装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-087496   出願人：株式会社リコー
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