アニール方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-345410
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168053
出願日： 1999年12月03日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：

【要約】【課題】イオン注入したダイヤモンド単結晶をアニールにより電気的にn型に活性化させることができるようにする。【解決手段】この発明は、ダイヤモンド単結晶1中に不純物原子Mを導入する際に生じた非晶質層や欠陥層を熱処理により回復させるアニール方法において、熱処理時にイオンビームをダイヤモンド単結晶1に照射して不純物原子Mを置換位置に導入し、ダイヤモンド単結晶を電気的に活性化させることを特徴としている。

請求項（抜粋）：

固体単結晶中に不純物原子を導入する際に生じた非晶質層や欠陥層を熱処理により回復させるアニール方法において、上記熱処理時にイオンビームを固体単結晶に照射して不純物原子を置換位置に導入し、固体単結晶を電気的に活性化させることを特徴とするアニール方法。

IPC (2件)：

H01L 21/263 , C30B 31/22

FI (2件)：

H01L 21/263 Z , C30B 31/22

Fターム (5件)：

4G077AA02 , 4G077BA03 , 4G077BE06 , 4G077BE08 , 4G077FD03

引用特許：

出願人引用 (3件)

特開平4-162432
特開昭59-028334
半導体ダイヤモンドの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-261505 出願人：シャープ株式会社

審査官引用 (2件)

特開平4-162432
特開昭59-028334

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