特許
J-GLOBAL ID：200903002182369215
半導体ダイヤモンドの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-261505
公開番号（公開出願番号）：特開平11-100296
出願日： 1997年09月26日
公開日（公表日）： 1999年04月13日
要約：
【要約】【課題】 半導体ダイヤモンドの製造には、ドーパントを注入し、その後再結晶化のために熱処理をする必要があった。さらに、ダイアモンドは準安定状態であり、相転移しないようなドーピングや熱処理を行うには、処理時間が長くなったり、ターゲットとして多結晶ダイヤモンドが用いることができないなどの問題があった。【解決手段】 本発明では、300°Cよりも高く1500°C以下の温度に加熱されたダイヤモンドに、照射レートが1×107個/cm2sec.以上1×1015個/cm2sec.以下でドーパント元素粒子を照射するによって、上記問題点を解決した半導体ダイヤモンドの製造方法を提供する。
請求項（抜粋）：
300°Cよりも高く1500°C以下の温度に加熱されたダイヤモンドに、照射レートが1×107個/cm2sec.以上1×1015個/cm2sec.以下でドーパント元素粒子を照射することを特徴とする半導体ダイヤモンドの製造方法。
IPC (3件)：
C30B 29/04
, C30B 31/20
, H01L 21/265
C30B 29/04 V
, C30B 31/20
, H01L 21/265 Z
