特許
J-GLOBAL ID：200903009729644288

半導体装置およびその製造方法

発明者：
金子 信男

金子 信男 について

, 
熊倉 弘道

熊倉 弘道 について

, 
近頭 孝至

近頭 孝至 について


出願人/特許権者：
サンケン電気株式会社

サンケン電気株式会社 について


代理人 (6件)： 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  川又 澄雄 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-079229
公開番号（公開出願番号）：特開2008-243943
出願日： 2007年03月26日
公開日（公表日）： 2008年10月09日
要約：
【課題】コプラス時オン抵抗を低減化し、かつゲート漏れ電流を低減化した半導体装置を提供する。【解決手段】窒化物系化合物半導体層(3,4)上に窒化物系化合物半導体層(3,4)とショットキー接触するゲート電極7と、ゲート電極7上に形成された第1の絶縁膜18と、ゲート電極7から離間した窒化物系化合物半導体層(3,4)上に窒化物系化合物半導体層(3,4)と低抵抗接触するソース電極5と、ゲート電極7と第1の絶縁膜18を介して形成され、ソース電極5と電気的に接続し、平面的に見て、ゲート電極7の上を跨ぐように延伸しているソースFP電極9と、ソースFP電極9上に形成された第2の絶縁膜10とを有する半導体装置であって、ソースFP電極9の厚みはソース電極5の厚みよりも厚く形成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
窒化物系化合物半導体層上に前記窒化物系化合物半導体層とショットキー接触する第1の電極と、 前記第1の電極上に形成された第1の絶縁膜と、 前記第1の電極から離間した前記窒化物系化合物半導体層上に前記窒化物系化合物半導体層と低抵抗接触する第2の電極の第1の部分と、 前記第1の電極と前記第1の絶縁膜を介して形成され、前記第2の電極の第1の部分と電気的に接続し、平面的に見て、前記第1の電極の上を跨ぐように延伸している第2の電極の第2の部分と、 前記第2の電極の第2の部分の上に形成された第2の絶縁膜と を有する半導体装置であって、 前記第2の電極の第2の部分の厚みは第2の電極の第1の部分の厚みよりも厚く形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (12件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/06 ,  H01L 27/095 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49
FI (10件)：
H01L29/80 H ,  H01L29/06 301F ,  H01L29/80 F ,  H01L29/80 E ,  H01L27/08 102A ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 619A ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/58 G
Fターム (106件)：
4M104AA04 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD51 ,  4M104DD68 ,  4M104EE05 ,  4M104FF10 ,  4M104FF13 ,  4M104GG12 ,  5F048AA05 ,  5F048AB10 ,  5F048AC09 ,  5F048BA03 ,  5F048BA15 ,  5F048BA16 ,  5F048BB01 ,  5F048BC01 ,  5F048BC03 ,  5F048BF11 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F102FA01 ,  5F102FA02 ,  5F102GA05 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR12 ,  5F102GR15 ,  5F102GS02 ,  5F102GS03 ,  5F102GS04 ,  5F102GT02 ,  5F102GT03 ,  5F102GV05 ,  5F102GV06 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F110AA06 ,  5F110AA30 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE42 ,  5F110EE44 ,  5F110GG04 ,  5F110GG19 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HM12 ,  5F110HM19 ,  5F110NN03 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110QQ14 ,  5F140AA08 ,  5F140AA24 ,  5F140AA30 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BF05 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BF21 ,  5F140BF27 ,  5F140BG27 ,  5F140BG30 ,  5F140BG36 ,  5F140BH30 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BJ25 ,  5F140BK28 ,  5F140BK29 ,  5F140CC01 ,  5F140CC03 ,  5F140CC08 ,  5F140CC10 ,  5F140CD08 ,  5F140CE02
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 電力用半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-327654   出願人：株式会社東芝
審査官引用 (3件)

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