特許

J-GLOBAL ID：200903032625695559

半導体素子

発明者： 神林 宏 ,  池田 成明 ,  吉田 清輝
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-255603
公開番号（公開出願番号）：特開2007-073555
出願日： 2005年09月02日
公開日（公表日）： 2007年03月22日
要約：

【課題】電流コラプス発生の抑制とともにリーク電流の低減と絶縁耐圧の向上とが可能であり、一層の高信頼化を実現できること。【解決手段】HEMT100は、半絶縁性基板1上に、GaNからなるバッファ層2と、GaNからなる電子走行層3と、アンドープAlNからなる中間層6と、アンドープAl0.25Ga0.75Nからなる電子供給層4とを、この順に積層して形成されたヘテロ接合構造を有し、電子供給層4上には、ソース電極S、ゲート電極Gおよびドレイン電極Dと、これら複数電極間の化合物半導体層上の表面SFを保護する表面保護膜7と、を備える。表面保護膜7は、屈折率と表面SFに及ぼす応力との相関関係における応力が略最小となる屈折率を有する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

積層された化合物半導体層上に配設された複数電極間の前記化合物半導体層上の半導体層表面を保護する表面保護膜を備える半導体素子において、 前記表面保護膜は、該表面保護膜の屈折率と、前記表面保護膜が前記半導体層表面に及ぼす応力との相関関係における前記応力が略最小となる前記屈折率を有することを特徴とする半導体素子。

IPC (3件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812

FI (1件)：

H01L29/80 H

Fターム (16件)：

5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GS01 ,  5F102GT01 ,  5F102GV05 ,  5F102GV06 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体電子デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-366328   出願人：古河電気工業株式会社
• 高電子移動度トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-323750   出願人：古河電気工業株式会社

審査官引用 (5件)

• 化合物半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-006970   出願人：富士通株式会社
• 電界効果トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-247208   出願人：新日本無線株式会社
• 電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-000842   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-130637   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体装置およびその製造方法並びにその半導体装置製造用基板およびその製造方法。
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-096902   出願人：ユーディナデバイス株式会社