特許
J-GLOBAL ID:200903009740289856

半導体装置の実装体,その実装方法及びその実装用封止材

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 前田 弘 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-308798
公開番号(公開出願番号):特開平9-064103
出願日: 1995年11月28日
公開日(公表日): 1997年03月07日
要約:
【要約】【課題】 導電性接着剤を用いたフリップチップ実装に用いられる封止材の流動性を改良し、信頼性及び生産性の高い半導体装置の実装体を実現する。【解決手段】 電極パッド2を有する半導体装置1と、端子電極5を有する基板6と、電極パッド2の一部に設けられたバンプ電極3と、可撓性のある導電性接着層4と、粘度が100Pa・s以下でチクソトロピー指数が1.1以下である組成物を硬化して構成される封止層7と設け、半導体装置の実装体を実現する。組成物としては、例えばポリエポキシド,酸無水物及びレオロジー改質剤を含む樹脂バインダーと充填材とを主成分とし、レオロジー改質剤として酸無水物中の遊離酸と充填材の表面上の極性基との相互作用を阻害する機能を有するものを用いる。封止材の流動性の改良によって、狭い間隙を気泡を生じることなく速やかに埋める封止層が形成されるので、信頼性と生産性とが向上する。
請求項(抜粋):
電極パッドを有する半導体装置と、端子電極を有する基板と、上記半導体装置の電極パッドの上に設けられたバンプ電極と、可撓性を有する導電性接着剤で構成され上記バンプ電極と基板上の端子電極とを電気的に接続する導電性接着層と、粘度が100Pa・s以下でチクソトロピー指数が1.1以下である組成物を硬化して構成され上記半導体装置と上記基板との間隙を埋めて両者を機械的に接合する封止層とを備えたことを特徴とする半導体装置の実装体。
IPC (4件):
H01L 21/60 311 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31
FI (3件):
H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/56 E ,  H01L 23/30 R
引用特許:
審査官引用 (6件)
  • 半導体装置およびその製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-125474   出願人:カシオ計算機株式会社
  • 部品実装方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-121845   出願人:富士通株式会社
  • 特開昭56-093749
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