特許

J-GLOBAL ID：200903009782458984

表面処理方法および表面処理装置

発明者： 宮川 拓也 ,  倉科 修
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (5件)： 井上 一 ,  布施 行夫 ,  大渕 美千栄 ,  伊奈 達也 ,  竹腰 昇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-186690
公開番号（公開出願番号）：特開2005-328075
出願日： 2005年06月27日
公開日（公表日）： 2005年11月24日
要約：

【課題】 大気圧近傍の圧力下でガス放電を発生させて表面処理を行う表面処理装置において、ガスを用いて被処理体の表面処理をドライ方式にて実施しながらも、所定の処理効果を達成できる表面処理方法およびその装置を提供する。【解決手段】 プラズマ発生器10は、酸素を含むガスがガス導入口10aを介して供給され、大気圧またはその近傍の圧力下にて、プラズマを誘起してオゾンを発生させる。このオゾンは、第1ガス供給管12を介して液体混合器20に導入され、容器22内の純水24と接触され、オゾンに水蒸気が混合される。水蒸気と混合されたオゾンを、第2ガス供給管14を介して被処理体1の表面1aに接触させて、被処理体1を表面処理する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

少なくとも1種の反応性ガスおよび水蒸気を含む処理ガスと被処理体とを処理室内において接触させて、前記被処理体の表面処理を行う表面処理方法であって、 前記処理室内に水滴を含む担体を設けることを特徴とする表面処理方法。

IPC (2件)：

H01L21/304 ,  H01L21/027

FI (4件)：

H01L21/304 645C ,  H01L21/304 645B ,  H01L21/30 572B ,  H01L21/302 101E

Fターム (13件)：

5F004AA14 ,  5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BA20 ,  5F004BB24 ,  5F004DA00 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB13 ,  5F004EA38 ,  5F004EB02 ,  5F046MA05 ,  5F046MA10

引用特許：

出願人引用 (5件)

• 特開平4-79324号公報
  
• 有機物除去方法及びその方法を使用するための装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-290259   出願人：株式会社日立製作所
• 基板処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-315068   出願人：クロリンエンジニアズ株式会社
• 回路用基板のプラズマ処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-032489   出願人：松下電工株式会社, 岡崎幸子, 小駒益弘
• 特開平4-302145号公報
  

審査官引用 (2件)

• 回路用基板のプラズマ処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-032489   出願人：松下電工株式会社, 岡崎幸子, 小駒益弘
• 特開昭63-239948