スイッチング素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-007048
公開番号（公開出願番号）：特開平10-206898
出願日： 1997年01月17日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：

【要約】【課題】エッチング液によるスイッチング素子周縁の絶縁膜の浸食を防止し、これによってスイッチング素子の絶縁破壊の発生率を抑制する。【解決手段】信号線12及び下部電極13の周縁には、段差が生じており、この段差の部位で、信号線12及び下部電極13と第2絶縁膜14間の密着性が悪く、信号線12の周縁と第2絶縁膜14の周縁の交差点アから、信号線12及び下部電極13間に第2絶縁膜14のエッチング液が浸透する。交差点アから信号線12及び下部電極13の周縁に沿ってスイッチング素子18の部位イに至るまでの距離を5μmに設定しており、この距離は、第2絶縁膜14のエッチングの期間に、エッチング液が浸透して到達する距離を十分に越えるので、エッチング液がスイッチング素子18の部位イに達することはなく、このためにエッチング液によって第2絶縁膜14が浸食されずに済み、スイッチング素子18の絶縁破壊の発生率が低下する。

請求項（抜粋）：

第1金属層、非線形抵抗特性を有する第1絶縁膜、絶縁性を有する第2絶縁膜、及び第2金属層を積層すると共にパターニングしてなり、第1金属層と第2金属層が第1絶縁膜を介して重なる部位で形成されるスイッチング素子において、このスイッチング素子を囲む第1金属層のパターン周縁を第2絶縁層によって保護し、第1金属層のパターン周縁と第2絶縁膜のパターン周縁の交差点から、このスイッチング素子の部位に至るまでの第1金属層のパターン周縁に沿う距離を第2絶縁膜のエッチングのときにエッチング液が該交差点から第1金属層のパターン周縁に沿ってスイッチング素子の部位へと浸透し得る距離よりも長く設定したスイッチング素子。

IPC (2件)：

G02F 1/136 510 , H01L 49/02

FI (2件)：

G02F 1/136 510 , H01L 49/02

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平1-270027
特開平3-212621
特開平3-296024

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