特許
J-GLOBAL ID：200903009875139269
交換結合膜及び前記交換結合膜を用いた磁気検出素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野▲崎▼ 照夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-348557
公開番号（公開出願番号）：特開2003-101102
出願日： 2001年11月14日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：
【要約】【目的】 従来におけるシードレイヤはCrを40at%以下含んだNiFeCr合金で形成されていたが、今後の高記録密度化に伴って前記シードレイヤ表面の濡れ性をさらに高めることが要望され、またNiFeCrのシードレイヤを使用すると、前記シードレイヤ上の各層表面の平滑性が悪化した。【構成】 シードレイヤ22を、Taなどで形成された下地層6上に、Crと元素X(ただし元素Xは、Fe、Niなど)とを有して形成し、このとき前記Crの組成比を80at%以上とし、さらに前記シードレイヤの膜厚を20Å以上130Å以下で形成する。これによってシードレイヤ22表面の濡れ性を従来に比べて飛躍的に向上させることができ、固定磁性層3における一方向性交換バイアス磁界及び抵抗変化率を大きくでき、また前記シードレイヤ上の各層の表面の平滑性を良好にすることが可能になる。
請求項（抜粋）：
下からシードレイヤ、反強磁性層、強磁性層の順に積層され、前記反強磁性層と強磁性層との界面で交換結合磁界が発生することで、前記強磁性層の磁化方向が一定方向にされる交換結合膜において、前記シードレイヤの下には、Ta,Hf,Nb,Zr,Ti,Mo,Wのうち少なくとも1種以上の元素で形成された下地層が形成されており、前記シードレイヤは、Crと元素X(ただし元素Xは、Fe、Ni、Co、Ti、V、Nb、Zr、Hf、Ta、Mo、W、Yのうち少なくとも1種以上)とを有して形成され、前記Crの組成比は80at%以上であり、前記シードレイヤの膜厚は20Å以上で130Å以下であることを特徴とする交換結合膜。
IPC (4件)：
H01L 43/08
, G01R 33/09
, G11B 5/39
, H01F 10/32
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, H01F 10/32
, G01R 33/06 R
2G017AA01
, 2G017AD55
, 2G017AD65
, 5D034BA03
, 5E049AA01
, 5E049AA04
, 5E049AA07
, 5E049AA09
, 5E049AC05
, 5E049BA16
, 5E049CB01
, 5E049DB12
