特許
J-GLOBAL ID：200903012106903682
磁気抵抗効果膜並びにこれを利用した磁気抵抗効果センサ及び磁気記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 勇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-235108
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074121
出願日： 1997年08月29日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：
【要約】【課題】 十分大きな抵抗変化率および反強磁性層から固定磁性層への交換結合力、さらにNiFe層またはNiFe層/CoFe層の良好な軟磁気特性を確保した上で200°C以上での耐熱性を確保し、熱安定性に優れ、磁気抵抗変化率(MR比)の大きい磁気抵抗効果膜を提供すること等。【解決手段】 基板、下地層、NiFe層、非磁性層、固定磁性層及び反強磁性層からなる積層膜、基板、下地層、NiFe層、CoFe層、非磁性層、固定磁性層及び反強磁性層からなる積層膜、又は、基板、下地層、NiFe層、CoFe層、非磁性層、MRエンハンス層、固定磁性層及び反強磁性層からなる積層膜を有する磁気抵抗効果膜において、前記積層膜の結晶粒径が、8nm以上かつ前記基板及び下地層を除く積層膜の全膜厚以下であること。
請求項（抜粋）：
基板、下地層、NiFe層、非磁性層、固定磁性層及び反強磁性層からなる積層膜、基板、下地層、NiFe層、CoFe層、非磁性層、固定磁性層及び反強磁性層からなる積層膜、又は、基板、下地層、NiFe層、CoFe層、非磁性層、MRエンハンス層、固定磁性層及び反強磁性層からなる積層膜を有する磁気抵抗効果膜において、前記積層膜の結晶粒径が、8nm以上かつ前記基板及び下地層を除く積層膜の全膜厚以下であることを特徴とした磁気抵抗効果膜。
IPC (4件)：
H01F 10/14
, G01R 33/09
, G11B 5/39
, H01L 43/08
H01F 10/14
, G11B 5/39
, H01L 43/08 Z
, G01R 33/06 R
