半導体ウェハを平坦化する方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：坂口博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-272516
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135211
出願日： 1997年10月06日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：

【要約】【課題】集積回路製造工程で誘電体層または金属層の表面を平坦化するための改良された方法を提供すること。【解決手段】平坦化される誘電体層210または金属層910は、表面の異なる領域にわたって、選択的にパターン形成され310、エッチングされる410。パターンのサイズ、形状、密度および深さは、平坦化される層の下にある集積回路構造のパターン・ファクタによって決定される。さらに、下にある構造のパターン・ファクタを使用して表面パターンの密度、サイズ、深さおよび配置を決定することによって、平坦化工程全体を改良できる。材料の強度、CMPのスラリ温度、パッド圧などの経験的に決定される他の要因も、CMP工程をさらに洗練するのに使用できる。平坦化される層の表面全体にわたってパターンを変化させることによって、CMP材料除去速度を制御して、より平坦な表面を達成できる。

請求項（抜粋）：

複数の層を有し、複数の層のうちの1つが、最上層であり、複数の層のうちの他の層が、下層として特徴づけられ、少なくとも1つの下層が、パターン形成された下層であり、パターン形成された下層のそれぞれが、パターン・ファクタによって特徴付けられる、前記複数の層を有する基板を設けるステップと、少なくとも1つのパターン形成された下層のパターン・ファクタに従って、前記最上層の所定部分を選択的に除去することによって前記最上層をパターン形成するステップと、化学的機械研摩工程によって前記最上層を平坦化するステップとを含む、集積回路製造工程のウェハ表面平坦化の速度を制御する方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/304 321

FI (2件)：

H01L 21/88 K , H01L 21/304 321 M

引用特許：

出願人引用 (3件)

特開平3-116753
酸化処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-317407 出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン東北株式会社
化学的機械的平坦化
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-105903 出願人：マイクロン・テクノロジー・インコーポレイテッド

審査官引用 (3件)

特開平3-116753
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-296458 出願人：日本電気株式会社
化学的機械的平坦化
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-105903 出願人：マイクロン・テクノロジー・インコーポレイテッド

前のページに戻る