特許
J-GLOBAL ID：200903009888539274
トンネル型磁気抵抗素子とその製造方法および装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
山口 巖
, 駒田 喜英
, 松崎 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-147152
公開番号（公開出願番号）：特開2005-332838
出願日： 2004年05月18日
公開日（公表日）： 2005年12月02日
要約：
【課題】絶縁層形成の制御性がよい窒化アルミニウムからなる絶縁層であって、かつTMR比が酸化アルミニウムと同程度の絶縁層を備えるトンネル型磁気抵抗素子とその製造方法および装置を提供する。【解決手段】窒化アルミニウム(Al-N)からなる絶縁層を、2つの強磁性層(磁化固定層および磁化自由層)により挟持してなるトンネル型磁気抵抗素子において、前記絶縁層のバリアハイトを2eV以上とする。また同磁気抵抗素子の製造方法において、前記絶縁層の形成工程は、金属Al膜をプラズマにより窒化処理する窒化処理工程と、窒化されたAl-N膜を熱処理するアニール処理工程とを含み、かつ前記プラズマは、電子温度が2eV以下の低電子温度であって、窒化種として、窒素分子ラジカルもしくは窒素原子ラジカルを励起させるものとする。【選択図】図9
請求項（抜粋）：
窒化アルミニウム(Al-N)からなる絶縁層を、2つの強磁性層(磁化固定層および磁化自由層)により挟持してなるトンネル型磁気抵抗素子において、前記絶縁層のバリアハイトを2eV以上とすることを特徴とするトンネル型磁気抵抗素子。
IPC (5件)：
H01L43/10
, G11B5/39
, H01L27/105
, H01L43/08
, H01L43/12
H01L43/10
, G11B5/39
, H01L43/08 Z
, H01L43/12
, H01L27/10 447
5D034BA05
, 5D034BB12
, 5D034DA07
, 5F083FZ10
, 5F083GA11
, 5F083PR22
