磁気抵抗効果素子とその製造方法、およびこれを用いた磁気デバイス

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-266140
公開番号（公開出願番号）：特開2002-176211
出願日： 2001年09月03日
公開日（公表日）： 2002年06月21日
要約：

【要約】【課題】 CPP-GMR素子の電気抵抗値を実用的な範囲にまで高くする。また、磁気記録の高密度化によるトラック幅の狭小化に対応しうる上記素子およびTMR素子を提供する。【解決手段】非磁性層7の面積S1が1μm2以下であり、第1磁性層6、第2磁性層8および非磁性層7から選ばれる少なくとも1層が、電流が通過する第1領域30と、この領域を構成する材料の酸化膜、窒化膜または酸窒化膜からなる第2領域20とを有し、上記第1領域の面積S2が、上記非磁性層の面積よりも小さいMR素子とする。この素子は、上記各層の少なくとも1層の側面から、酸化、窒化または酸窒化を行うことにより形成できる。

請求項（抜粋）：

非磁性層と、前記非磁性層を挟持する第1磁性層および第2磁性層とを含み、前記第1磁性層の磁化方向と前記第2磁性層の磁化方向との相対角度の変化に基づく電気抵抗の変化をセンシングするための電流を、前記各層の膜面に垂直な方向に流す磁気抵抗効果素子であって、前記非磁性層の面積は、1μm2以下であり、前記第1磁性層、前記第2磁性層および前記非磁性層から選ばれる少なくとも1層が、前記電流が通過する第1領域と、前記第1領域を構成する材料の酸化膜、窒化膜または酸窒化膜からなる第2領域とを有し、前記第1領域の面積が、前記非磁性層の面積よりも小さいことを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (8件)：

H01L 43/08 , G01R 33/09 , G11B 5/39 , H01F 10/16 , H01F 10/28 , H01F 10/30 , H01F 10/32 , H01L 43/12

FI (8件)：

H01L 43/08 Z , G11B 5/39 , H01F 10/16 , H01F 10/28 , H01F 10/30 , H01F 10/32 , H01L 43/12 , G01R 33/06 R

Fターム (18件)：

2G017AD55 , 2G017AD56 , 2G017AD60 , 2G017AD62 , 2G017AD65 , 5D034AA02 , 5D034BA02 , 5D034BA03 , 5E049AA04 , 5E049AA09 , 5E049AC00 , 5E049AC05 , 5E049BA12 , 5E049CB02 , 5E049DB02 , 5E049DB12 , 5E049FC01 , 5E049GC01

引用特許：

審査官引用 (2件)

不完全オ-バラップ磁気RAMセル
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-026258 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
面垂直電流スピンバルブタイプ磁気抵抗トランスデューサ
公報種別：公表公報出願番号：特願平9-542685 出願人：エム・ケイ・イー-クウォンタム・コンポーネンツ・コロラド・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー

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