特許

J-GLOBAL ID：200903009891762499

化合物半導体の表面処理方法

発明者： 吉川 明彦 ,  小林 正和 ,  山口 賢剛 ,  長沢 泰之 ,  山越 英男 ,  水井 順一
出願人/特許権者： 吉川 明彦 ,  小林 正和 ,  三菱重工業株式会社
代理人 (1件)： 光石 俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-233942
公開番号（公開出願番号）：特開平10-079364
出願日： 1996年09月04日
公開日（公表日）： 1998年03月24日
要約：

【要約】【課題】 原子状水素照射処理により、低温で表面の酸化膜除去等の清浄化を図るとともに、更に同一工程において基板表面を変化させ高温で表面の形状制御を実現することにより、製造工程及び設備の簡略化を図り、しかも、結晶の高品質化を実現することを目的とする。【解決手段】 原子状水素及び原子状重水素のうち、少なくとも一方を含む雰囲気に化合物半導体表面を曝す化合物半導体の表面処理方法において、前記半導体の処理温度を低温と高温の二段階に変化させることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

原子状水素及び原子状重水素のうち、少なくとも一方を含む雰囲気に化合物半導体表面を曝す化合物半導体の表面処理方法において、前記半導体の処理温度を低温と高温の二段階に変化させることを特徴とする化合物半導体の表面処理方法。

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体表面の清浄化方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-244799   出願人：光技術研究開発株式会社
• 特開平2-032541
  

審査官引用 (2件)

• 半導体表面の清浄化方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-244799   出願人：光技術研究開発株式会社
• 特開平2-032541