特許

J-GLOBAL ID：200903009902752288

磁気抵抗効果素子および磁気メモリ装置

発明者： 水口 徹也
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-161888
公開番号（公開出願番号）：特開2002-353417
出願日： 2001年05月30日
公開日（公表日）： 2002年12月06日
要約：

【要約】【課題】 磁気抵抗効果素子の自由層における磁化方向が反転する際の動作点中心を、ネール結合磁界が発生する場合であっても、その影響を排除してゼロ磁場に合わせる。【解決手段】 少なくとも強磁性体からなる自由層11、非磁性体からなる非磁性層12および強磁性体からなる固定層13が積層されてなり、自由層11における磁化方向の変化を利用して情報記録を行う磁気メモリ装置に用いられる磁気抵抗効果素子10において、自由層11の固定層13が積層されていない側に反強磁性体からなる反強磁性層15を設けるとともに、その自由層11と反強磁性層15とを非磁性体からなる第二非磁性層16を介して接合する。

請求項（抜粋）：

少なくとも強磁性体からなる自由層、非磁性体からなる非磁性層および強磁性体からなる固定層が積層されてなり、前記自由層における磁化方向の変化を利用して情報記録を行う磁気メモリ装置に用いられる磁気抵抗効果素子において、前記自由層の前記固定層が積層されていない側に反強磁性体からなる反強磁性層が設けられているとともに、前記自由層と前記反強磁性層とが非磁性体からなる第二非磁性層を介して接合されていることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (6件)：

H01L 27/105 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/30 ,  H01L 43/08

FI (6件)：

G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/30 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447 ,  G01R 33/06 R

Fターム (19件)：

2G017AA01 ,  2G017AB07 ,  2G017AD55 ,  5D034BA03 ,  5D034BA04 ,  5D034BA05 ,  5D034CA08 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA09 ,  5E049AC00 ,  5E049AC05 ,  5E049BA06 ,  5E049CB02 ,  5E049DB12 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA11 ,  5F083GA30 ,  5F083JA39

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 強磁性トンネル接合素子センサ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-298567   出願人：日本電気株式会社
• 結合層を備える磁気装置並びにそのような装置を製造及び作動させる方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2001-566141   出願人：コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ