特許
J-GLOBAL ID:200903009926054760
配線の作製方法、薄膜トランジスタの作製方法、及び液滴吐出方法
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-311157
公開番号(公開出願番号):特開2005-159327
出願日: 2004年10月26日
公開日(公表日): 2005年06月16日
要約:
【課題】 インクジェット法を代表とする滴下法により配線等を形成する場合、その線幅が太くなることを防ぎ、微細化することが要求されている。そこで、従来と異なる方法により、線幅を微細化する方法を提供することを課題とする。【解決手段】 本発明は、所望のパターンを形成する前に、パターンが形成される面に撥液性となる領域を形成し、撥液性領域に対して選択的に親液性となる領域を形成する。その後、親液性領域に、配線等の導電体材料が混入された組成物を滴下するインクジェット法を代表とする滴下法により配線等のパターンを形成する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
配線の被形成面に撥液処理を行い、
前記撥液処理を行った領域に、選択的に親液処理を行い、
前記配線材料が混入された組成物を滴下することにより前記親液処理を行った領域に配線を形成する
ことを特徴とする配線の作製方法。
IPC (7件):
H01L21/3205
, B05D1/26
, B05D3/06
, H01L21/28
, H01L21/288
, H01L21/336
, H01L29/786
FI (7件):
H01L21/88 B
, B05D1/26 Z
, B05D3/06 Z
, H01L21/28 301R
, H01L21/288 Z
, H01L29/78 617J
, H01L29/78 616K
Fターム (128件):
3K007AB18
, 3K007BA06
, 3K007DB03
, 3K007FA01
, 3K007GA00
, 4D075AC07
, 4D075BB45X
, 4D075BB48X
, 4D075BB49X
, 4D075CA22
, 4D075DA01
, 4D075DC21
, 4M104AA01
, 4M104AA08
, 4M104AA09
, 4M104BB01
, 4M104BB02
, 4M104BB04
, 4M104BB08
, 4M104BB14
, 4M104BB16
, 4M104BB17
, 4M104BB18
, 4M104BB40
, 4M104CC05
, 4M104DD22
, 4M104DD37
, 4M104DD43
, 4M104DD51
, 4M104GG20
, 4M104HH14
, 5F033HH07
, 5F033HH08
, 5F033HH11
, 5F033HH13
, 5F033HH14
, 5F033HH18
, 5F033HH19
, 5F033HH21
, 5F033HH38
, 5F033PP12
, 5F033PP15
, 5F033PP26
, 5F033VV06
, 5F033VV15
, 5F033WW05
, 5F033XX03
, 5F110AA16
, 5F110AA28
, 5F110AA30
, 5F110BB02
, 5F110BB04
, 5F110CC02
, 5F110CC05
, 5F110CC07
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD03
, 5F110DD12
, 5F110DD13
, 5F110DD14
, 5F110DD15
, 5F110DD17
, 5F110DD25
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE06
, 5F110EE09
, 5F110EE42
, 5F110EE44
, 5F110EE45
, 5F110EE47
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF04
, 5F110FF09
, 5F110FF27
, 5F110FF30
, 5F110GG01
, 5F110GG02
, 5F110GG13
, 5F110GG14
, 5F110GG15
, 5F110GG16
, 5F110GG25
, 5F110GG42
, 5F110GG43
, 5F110GG45
, 5F110HJ01
, 5F110HK02
, 5F110HK03
, 5F110HK04
, 5F110HK06
, 5F110HK09
, 5F110HK21
, 5F110HK22
, 5F110HK32
, 5F110HK33
, 5F110HK34
, 5F110HK35
, 5F110HK41
, 5F110HL02
, 5F110HL22
, 5F110HL23
, 5F110NN03
, 5F110NN12
, 5F110NN22
, 5F110NN23
, 5F110NN24
, 5F110NN27
, 5F110NN33
, 5F110NN34
, 5F110NN35
, 5F110NN73
, 5F110PP03
, 5F110PP10
, 5F110PP29
, 5F110PP34
, 5F110PP35
, 5F110QQ02
, 5F110QQ06
, 5F110QQ09
, 5F110QQ11
, 5F110QQ12
, 5F110QQ19
, 5F110QQ28
引用特許:
出願人引用 (1件)
審査官引用 (3件)
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溶液処理
公報種別:公表公報
出願番号:特願2001-547679
出願人:プラスティックロジックリミテッド, セイコーエプソン株式会社
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成膜方法、並びにその方法を用いて製造したデバイス
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-069154
出願人:セイコーエプソン株式会社
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特開平3-165036
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