特許
J-GLOBAL ID:200903009928309919
半導体装置とそのヒートシンク
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
作田 康夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-121282
公開番号(公開出願番号):特開2000-311971
出願日: 1999年04月28日
公開日(公表日): 2000年11月07日
要約:
【要約】【課題】本発明の目的は、低熱膨張・高熱伝導性で、かつ塑性加工性に優れたヒートシンク及びそれを用いた半導体装置を提供することにある。【解決手段】半導体素子と、信号を入出力する配線と、前記半導体素子を冷却するヒートシンクとを有する半導体装置において、前記ヒートシンクは前記素子を搭載する平板部とその反対面側に設けられたフィン部分とが一体に形成され、前記半導体素子とヒートシンクとは直接接合されていることを特徴とする。
請求項(抜粋):
半導体素子と、信号を入出力する配線と、前記半導体素子を冷却するヒートシンクとを有する半導体装置において、前記ヒートシンクは前記素子を搭載する平板部とその反対面側に設けられたフィン部分とが一体に形成され、前記半導体素子とヒートシンクとは直接接合されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L 23/34 A
, H01L 23/40 F
Fターム (5件):
5F036AA00
, 5F036BB01
, 5F036BB05
, 5F036BC17
, 5F036BD01
引用特許:
出願人引用 (2件)
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マルチチップモジュール
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-010531
出願人:株式会社日立製作所
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特開昭64-012404
審査官引用 (4件)