特許
J-GLOBAL ID：200903009928476718
表示装置
発明者：
,
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,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-041190
公開番号（公開出願番号）：特開2005-234091
出願日： 2004年02月18日
公開日（公表日）： 2005年09月02日
要約：
【課題】【解決手段】 基板上に半導体チップが搭載される表示装置であって、該半導体チップの各バンプに接続される端子が、第1の絶縁膜の下層に形成された信号線の一部を露出させる該第1の絶縁膜の第1の開口によって形成され、前記信号線の表示部への延在部は、第2の絶縁膜とこの第2の絶縁膜の下層に形成される前記第1の絶縁膜を貫通する第2の開口によって露出されるととともに、この第2の絶縁膜上に形成される他の導電層と接続され、前記第1の開口の第1の絶縁膜における側壁面の基板に対する角度は第2の開口の第1の絶縁膜における側壁面の基板に対する角度よりも小さく、かつ、端子側の第2の絶縁膜の端辺における側壁面の基板に対する角度は第2の開口の第2の絶縁膜の側壁面の基板に対する角度よりも小さく設定されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に半導体チップが搭載される表示装置であって、該半導体チップの各バンプに接続される端子が、第1の絶縁膜の下層に形成された信号線の一部を露出させる該第1の絶縁膜の第1の開口によって形成され、
前記信号線の表示部への延在部は、第2の絶縁膜とこの第2の絶縁膜の下層に形成される前記第1の絶縁膜を貫通する第2の開口によって露出されるととともに、この第2の絶縁膜上に形成される他の導電層と接続され、
前記第1の開口の第1の絶縁膜における側壁面の基板に対する角度は第2の開口の第1の絶縁膜における側壁面の基板に対する角度よりも小さく、かつ、端子側の第2の絶縁膜の端辺における側壁面の基板に対する角度は第2の開口の第2の絶縁膜の側壁面の基板に対する角度よりも小さく設定されていることを特徴とする表示装置。
IPC (5件)：
G09F9/30
, G02F1/1343
, G02F1/1345
, G02F1/1368
, G09F9/00
G09F9/30 330Z
, G09F9/30 338
, G02F1/1343
, G02F1/1345
, G02F1/1368
, G09F9/00 348Z
2H092GA25
, 2H092GA29
, 2H092GA33
, 2H092GA35
, 2H092GA41
, 2H092GA43
, 2H092GA45
, 2H092GA55
, 2H092GA60
, 2H092JA26
, 2H092JA46
, 2H092JB24
, 2H092JB33
, 2H092KA05
, 2H092KB24
, 2H092KB25
, 2H092MA13
, 2H092MA17
, 2H092NA07
, 2H092NA18
, 2H092NA25
, 3K007BA06
, 3K007DB03
, 3K007GA00
, 5C094AA32
, 5C094AA42
, 5C094AA43
, 5C094AA48
, 5C094BA03
, 5C094BA43
, 5C094CA19
, 5C094DA09
, 5C094DA15
, 5C094DB01
, 5C094DB02
, 5C094EA04
, 5C094EA05
, 5C094FA03
, 5C094FA04
, 5C094FB01
, 5C094FB02
, 5C094FB12
, 5C094FB15
, 5C094GB10
, 5G435AA17
, 5G435BB12
, 5G435CC09
, 5G435EE37
, 5G435EE42
, 5G435HH02
, 5G435HH12
, 5G435HH14
, 5G435HH20
, 5G435KK05
