特許

J-GLOBAL ID：200903009943135544

半導体検査方法及び半導体検査装置

発明者： 松井 都 ,  高口 雅成
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ
代理人 (1件)： ポレール特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-224017
公開番号（公開出願番号）：特開2007-040780
出願日： 2005年08月02日
公開日（公表日）： 2007年02月15日
要約：

【課題】 半導体製造工程途中のウエハを検査する技術として、電子線照射によってデバイスにダメージを与えることなく、欠陥検出または寸法測定する検査装置および方法を提供する。 【解決手段】 検査条件とパターン情報、帯電電圧との関連を予め記憶させておく。検査レシピ作成時に深さ情報を含むウエハ情報を入力し、この情報からダメージを与える検査条件を設定不能にする。あるいは、入力した検査条件を優先させて検査する場合は、ダメージが生じる可能性のあるパターンを検索し、非検査領域に設定し、表示する。さらに、ダメージモニタでダメージが検出されると、アラーム表示され、該パターンへの電子線照射が中止される。さらに、ダメージを生じたパターンを特定し、検査レシピにフィードバックする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

回路パターンが形成された半導体基板表面に対して、回路パターンの深さ情報を入力する工程と、前記回路パターンの電気特性を変化させることなく、前記回路パターンの深さ情報を含むパターン情報に基づいて所定の電子ビームを照射・走査する工程と、前記電子ビームの照射によって前記基板から二次的に発生する信号を検出する工程と、検出された信号を画像化して表示する工程と、上記基板上の複数の領域で得た上記画像を比較して欠陥を検出する工程とを有することを特徴とする半導体検査方法。

IPC (4件)：

G01N 23/225 ,  H01L 21/66 ,  G01R 31/302 ,  H01J 37/28

FI (4件)：

G01N23/225 ,  H01L21/66 J ,  G01R31/28 L ,  H01J37/28 B

Fターム (27件)：

2G001AA03 ,  2G001BA07 ,  2G001CA03 ,  2G001GA06 ,  2G001HA07 ,  2G001HA13 ,  2G001KA03 ,  2G001LA11 ,  2G001MA05 ,  2G001PA11 ,  2G132AA00 ,  2G132AD15 ,  2G132AE16 ,  2G132AF13 ,  2G132AL12 ,  4M106AA01 ,  4M106BA02 ,  4M106CA39 ,  4M106DB05 ,  4M106DB18 ,  4M106DB21 ,  4M106DJ18 ,  4M106DJ19 ,  4M106DJ20 ,  4M106DJ23 ,  4M106DJ38 ,  5C033UU08

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 走査電子顕微鏡
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-306205   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体及び集積回路構成体をテストする方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-200819   出願人：シュルンベルジェテクノロジーズ,インコーポレイテッド