特許
J-GLOBAL ID：200903009946889841

半導体装置及び半導体装置の特性調整方法

発明者：
大塚 寛治

大塚 寛治 について

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鷹野 致和

鷹野 致和 について

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水野 文夫

水野 文夫 について

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横倉 三郎

横倉 三郎 について

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伊藤 恒夫

伊藤 恒夫 について

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丹場 裕子

丹場 裕子 について

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秋山 豊

秋山 豊 について


出願人/特許権者：
タマティーエルオー株式会社

タマティーエルオー株式会社 について


代理人 (2件)： 柳瀬 睦肇 ,  渡部 温
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-302693
公開番号（公開出願番号）：特開2007-115737
出願日： 2005年10月18日
公開日（公表日）： 2007年05月10日
要約：
【課題】高周波数の信号の送信に好適な信号伝送配線を有しており、かつこの信号伝送配線の特性を調整することができる半導体装置を提供する。【解決手段】本発明に係る半導体装置は、信号を伝送する信号伝送配線20と、信号伝送配線20にゲート電極が接続されたMOS容量素子10と、MOS容量素子10のソース及びドレインそれぞれに接続され、該ソース及びドレインに電位を与える第1の電位設定配線30と、MOS容量素子10のウェルに接続され、該ウェルに電位を与える第2の電位設定配線40とを具備する。第1の電位設定配線30及び第2の電位設定配線40それぞれの電位を調節することにより、信号伝送配線20で生じるジッターを調節することができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
信号を伝送する信号伝送配線と、 前記信号伝送配線にゲート電極が接続されたMOS容量素子と、 前記MOS容量素子のソース及びドレインそれぞれに接続され、該ソース及びドレインに電位を与える第1の電位設定配線と、 前記MOS容量素子のウェルに接続され、該ウェルに電位を与える第2の電位設定配線と、 を具備する半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H03K 5/125 ,  H03K 19/00 ,  H03K 19/017
FI (5件)：
H01L27/04 D ,  H03K5/01 D ,  H03K19/00 C ,  H03K19/00 101F ,  H01L27/04 C
Fターム (27件)：
5F038AC05 ,  5F038AC12 ,  5F038AC14 ,  5F038AC20 ,  5F038AV04 ,  5F038AZ01 ,  5F038CD02 ,  5F038CD04 ,  5F038CD05 ,  5F038CD14 ,  5F038DF07 ,  5F038EZ20 ,  5J056AA04 ,  5J056BB00 ,  5J056BB22 ,  5J056CC04 ,  5J056DD13 ,  5J056DD51 ,  5J056DD55 ,  5J056EE04 ,  5J056EE06 ,  5J056FF06 ,  5J056FF09 ,  5J056GG09 ,  5J056KK01 ,  5J056KK02 ,  5J056KK03
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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