特許
J-GLOBAL ID：200903009984065682
粒子線治療システム
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
春日 讓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-085862
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282300
出願日： 2002年03月26日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：
【要約】【課題】ビーム軌道の補正を簡単にかつ素早く行うことができる粒子線治療システムを提供する。【解決手段】ビーム1を入射し患者75側へと輸送する第1ビーム輸送系102Aと、ビーム1の照射野を形成する照射ノズル70とを備える照射装置103を有する粒子線治療システムにおいて、照射ノズル70上流側のビーム1の通過位置を検出する第1ビーム位置モニタ61,62と、照射ノズル70下流側のビーム1の通過位置を検出する第2ビーム位置モニタ63,64と、第1ステアリング電磁石181,182及び第2ステアリング電磁石183,184とを設け、第1及び第2ビーム位置モニタ61〜64の検出結果に基づき、ビーム1が補正後に所定の軌道となるための補正偏向量を求め、その求めた補正偏向量となるように第1及び第2ステアリング電磁石181〜184を励磁制御する。
請求項（抜粋）：
荷電粒子ビームを設定されたエネルギーまで加速する加速器と、この加速器から出射した荷電粒子ビームを照射する回転式の照射装置とを有し、前記照射装置は、前記加速器から出射した荷電粒子ビームを輸送する第1ビーム輸送手段と、この第1ビーム輸送手段で輸送した荷電粒子ビームの照射野を形成する照射野形成手段とを備える粒子線治療システムにおいて、前記第1ビーム輸送手段に設けられた電磁石のうちで最も下流側に設けられた前記電磁石よりも下流側で前記荷電粒子ビームの軌道に沿って配置され、荷電粒子ビームの通過位置を検出する第1ビーム位置検出手段と、前記第1ビーム位置検出手段より下流側で前記軌道に沿って配置され、荷電粒子ビームの通過位置を検出する第2ビーム位置検出手段と、前記第1ビーム位置検出手段より上流側の前記第1ビーム輸送手段に設けられた第1ステアリング電磁石及び第2ステアリング電磁石と、前記第1及び第2検出手段のそれぞれから出力される各検出信号に基づき、前記第1及び第2ステアリング電磁石のそれぞれによって前記荷電粒子ビームの位置を変位させる第1変位量を求める第1変位量算出手段と、前記それぞれの前記第1変位量に基づいて、前記第1及び第2ステアリング電磁石のそれぞれの励磁電流を制御する第1制御手段とを有することを特徴とする粒子線治療システム。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H05H 13/04 N
, A61N 5/10 H
2G085AA13
, 2G085BA20
, 2G085CA20
, 2G085DA08
, 4C082AA01
, 4C082AC05
, 4C082AE01
, 4C082AG01
, 4C082AG02
, 4C082AG11
, 4C082AP11
