磁気センサとその製法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：伊沢敏昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-032565
公開番号（公開出願番号）：特開2002-333468
出願日： 2002年02月08日
公開日（公表日）： 2002年11月22日
要約：

【要約】【課題】磁気センサチップをリードフレーム等の支持部材に加熱接着層を介して固着する際にチップにクラックが発生するのを防ぐ。【解決手段】シリコン等の基板10の絶縁性表面には、各々1又は複数直列の磁気トンネル効果素子からなる磁気抵抗素子R1,R2を形成する。素子R1,R2は、絶縁膜30を介して基板表面に形成した配線層32により直列接続する。素子R1,R2及び配線層32を覆ってパッシベーション用絶縁膜34を形成する。絶縁膜34の上には、ポリイミド等の熱応力緩和用有機膜36を介して素子R2を覆うようにNi-Fe合金等の磁気シールド層42を形成する。素子R1,R2等を含む磁気センサチップ10をウエハから分離した後、熱処理によりチップ10をAgペースト層を介してリードフレームに固着する。磁気シールド層42として、Ni含有率が69%以下のNi-Fe合金層を用いるとよい。

請求項（抜粋）：

少なくとも一方の主面が絶縁性を有する基板と、前記一方の主面に形成され、直列接続された少なくとも2つの磁気抵抗素子であって、各磁気抵抗素子が1又は複数直列の磁気トンネル接合素子からなるものと、前記2つの磁気抵抗素子のうちの少なくとも1つの磁気抵抗素子をパッシベーション用の絶縁膜を介して覆うように形成された熱応力緩和用の有機膜と、前記有機膜及び前記絶縁膜を介して前記2つの磁気抵抗素子のうちの1つの磁気抵抗素子を覆うように形成された磁気シールド層とを備えた磁気センサ。

IPC (2件)：

G01R 33/09 , H01L 43/08

FI (3件)：

H01L 43/08 H , H01L 43/08 Z , G01R 33/06 R

Fターム (4件)：

2G017AA01 , 2G017AC01 , 2G017AD55 , 2G017AD65

引用特許：

出願人引用 (6件)

磁気抵抗素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-116948 出願人：三菱マテリアル株式会社
特開昭62-180510
特開昭60-057687

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審査官引用 (6件)

磁気抵抗素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-116948 出願人：三菱マテリアル株式会社
特開昭62-180510
特開昭60-057687

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