特許

J-GLOBAL ID：200903010062978130

光電変換素子及び光電変換装置

発明者： 釜下 敦
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-035796
公開番号（公開出願番号）：特開2000-236081
出願日： 1999年02月15日
公開日（公表日）： 2000年08月29日
要約：

【要約】【課題】高速動作が可能となる光電変換素子及び光電変換装置を提供する。【解決手段】受光部と、該受光部に蓄積された電荷を読み出し部に転送する転送部とを有し、前記受光部は、前記転送部に近づくに従ってポーテンシャルが低くなるように不純物の濃度勾配を有する。受光部は、埋め込みフォトダイオードであれば、より好ましい。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に配置され入射光に応じた電荷を発生し蓄積する受光部と、該受光部に蓄積された電荷を読み出し部に転送する転送部と、前記転送部から送られてきた電荷に応じた信号を発生する前記読み出し部とを有する光電変換素子において、前記受光部は、不純物の濃度勾配を有し、前記転送部に近づくに従ってポテンシャルが低いことを特徴とする光電変換素子。

IPC (2件)：

H01L 27/146 ,  H04N 5/335

FI (2件)：

H01L 27/14 A ,  H04N 5/335 A

Fターム (16件)：

4M118AA03 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CA18 ,  4M118EA14 ,  4M118FA06 ,  4M118FA36 ,  4M118FA42 ,  5C024AA01 ,  5C024CA16 ,  5C024CA31 ,  5C024FA01 ,  5C024FA11 ,  5C024GA01 ,  5C024GA31

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 固体撮像装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-099762   出願人：株式会社ニコン
• 固体撮像素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-202348   出願人：シャープ株式会社
• CCD型固体撮像素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-090747   出願人：エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
• 光電変換素子及び光電変換装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-033833   出願人：株式会社ニコン
• 特開昭60-084076