特許
J-GLOBAL ID：200903010063867960
薄膜半導体の結晶性測定装置及びその方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
本庄 武男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-028764
公開番号（公開出願番号）：特開2008-191123
出願日： 2007年02月08日
公開日（公表日）： 2008年08月21日
要約：
【課題】ポリシリコン等の半導体からなる薄膜試料のごく微小領域の結晶性を評価するための指標値を,非破壊及び非接触で,かつ短時間及び高精度で測定できること。【解決手段】ポリシリコン等の半導体の薄膜試料20aに対してマイクロ波が照射される側と反対側に導体部材である試料台10を配置し,その試料台10の表面と薄膜試料20aの測定部位との間の距離がマイクロ波の波長の四分の一の距離又はその距離に前記マイクロ波の波長の整数倍を加えた距離となるように,ガラスやセラミック等の誘電体である基板保持部12によって保持し,その状態で,薄膜試料20aの測定部位とその近傍それぞれに対し,マジックTに接続された2つの導波管5a,5bを通じてマイクロ波Op1,Op2を照射し,そのマイクロ波の反射波の差信号Rt1の強度のピーク値Spをミキサ6及び信号処理装置7により検出する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体からなる薄膜試料の測定部位に対して励起光及び電磁波を照射し,前記励起光の照射により変化する前記電磁波の前記薄膜試料からの反射波の強度を検出し,その検出データに基いて前記薄膜試料の結晶性を測定する薄膜半導体の結晶性測定装置であって,
前記薄膜試料に対して前記電磁波が照射される側と反対側に配置された導体部材と,
前記導体部材の表面と前記薄膜試料の測定部位との間の距離が,その間の媒質における前記電磁波の波長の略四分の一の距離又はその距離に前記電磁波の波長の整数倍を加えた距離となるように前記薄膜試料を保持する試料保持手段と,
前記試料保持手段により保持された前記薄膜試料に対する前記励起光の照射によって変化する,前記電磁波の前記薄膜試料からの反射波の強度を検出する電磁波強度検出手段と,
を具備してなることを特徴とする薄膜半導体の結晶性測定装置。
IPC (1件)：
FI (2件)：
G01N22/00 S
, G01N22/00 U
出願人引用 (1件)
審査官引用 (5件)
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