特許
J-GLOBAL ID：200903040636482649
半導体キャリア寿命測定用装置,半導体キャリア寿命測定方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
本庄 武男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-205109
公開番号（公開出願番号）：特開2007-027288
出願日： 2005年07月14日
公開日（公表日）： 2007年02月01日
要約：
【課題】 パルス光により励起された半導体に照射した電磁波の反射波若しくは透過波である測定波に基づいて半導体のキャリア寿命測定を行う場合に,励起キャリアのライフタイムが短い半導体を測定する際にも,測定時間の増大や高コスト化をもたらすことなく高精度で測定できること。 【解決手段】 測定波からその強度に応じた電流信号を生成するマイクロ波検出器8と,その生成信号から測定波の強度変化を表す電流信号を生成するCR回路9と,その生成信号の電流値に応じた量の電荷をコンデンサ10bに蓄積することにより,そのコンデンサ10bにより生じる電圧信号(CR回路9の生成信号の積分信号)を生成し,半導体2における励起キャリアの寿命測定用信号として出力する電荷増幅回路10とを具備する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
パルス光により励起された半導体に照射した電磁波の反射波若しくは透過波である測定波に基づいて,前記半導体における励起キャリアの寿命測定用信号を出力する半導体キャリア寿命測定用装置であって,
前記測定波に基づいてその強度変化を表す信号を生成する電磁波強度変化検出手段と,
前記電磁波強度変化検出手段の生成信号からその積分信号を生成して前記半導体における励起キャリアの寿命測定用信号として出力する信号積分手段と,
を具備してなることを特徴とする半導体キャリア寿命測定用装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L21/66 M
, G01N22/00 S
, G01N22/00 U
4M106BA05
, 4M106BA08
, 4M106CB11
, 4M106DH18
, 4M106DH32
, 4M106DJ12
出願人引用 (2件)
審査官引用 (8件)
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