特許
J-GLOBAL ID：200903010079651371
微小電気機械システムおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
奥田 誠司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-244946
公開番号（公開出願番号）：特開2005-125484
出願日： 2004年08月25日
公開日（公表日）： 2005年05月19日
要約：
【課題】 配線部の高温破壊の防止、トランスデューサ特性の確保、配線抵抗の低減を両立して実現する微小電気機械システムおよびその製造方法を提供することにある。【解決手段】本発明の微小電気機械システムは、基板1と、基板1に支持されるトランスデューサと、基板1に支持され、トランスデューサに電気的に接続されている導電体層とを備えている。トランスデューサは、シリコンまたはシリコン化合物から形成された部分を有しており、導電体層は、銅、金、および銀からなる群から選択された少なくとも1種の元素を主成分として含有する高融点導電体から形成されいる。高融点導電体の少なくとも一部は、トランスデューサの前記部分と基板との間のレベルに位置している。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
基板と、
前記基板に支持されるトランスデューサと、
前記基板に支持され、前記トランスデューサに電気的に接続されている導電体層と、
を備えた微小電気機械システムであって、
前記トランスデューサは、シリコンまたはシリコン化合物から形成された部分を有しており、
前記導電体層は、銅、金、および銀からなる群から選択された少なくとも1種の元素を主成分として含有する高融点導電体から形成されており、前記導電体層の少なくとも一部は、前記トランスデューサのシリコンまたはシリコン化合物から形成された部分と前記基板との間のレベルに位置している、微小電気機械システム。
IPC (4件)：
B81B3/00
, B81C1/00
, H01L21/8238
, H01L27/092
B81B3/00
, B81C1/00
, H01L27/08 321F
5F048AB10
, 5F048AC03
, 5F048BB05
, 5F048BB08
, 5F048BB12
, 5F048BE03
, 5F048BF07
, 5F048BF11
, 5F048BF16
, 5F048BG12
