特許

J-GLOBAL ID：200903065337370560

研磨方法

発明者： 近藤 誠一 ,  本間 喜夫 ,  佐久間 憲之 ,  武田 健一 ,  日野出 憲治
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-077422
公開番号（公開出願番号）：特開2001-298009
出願日： 1997年10月31日
公開日（公表日）： 2001年10月26日
要約：

【要約】【課題】 スクラッチや剥がれ、ディシング、エロージョンを抑制し、また、複雑な洗浄プロセスや研磨剤供給/処理装置を必要とせず、研磨剤や研磨布等の消耗品のコストを抑さえた研磨技術を提供する。【解決手段】 溝を有する絶縁膜23上に形成された金属膜21を、酸化性物質と酸化物を水溶化する物質を含み、研磨砥粒を含まない研磨液で研磨する。

請求項（抜粋）：

金属膜の第1の部分を酸化させる第1の工程、上記金属膜の第2の部分に防食性物質を付着させる第2の工程、上記第1の工程及び上記第2の工程の後、上記第1の工程で酸化された上記第1の部分を水溶性化する第3の工程、上記第1の工程及び上記第2の工程の後、上記第2の部分に付着した防食性物質を除去する第4の工程とを有し、上記第3の工程における上記第1の部分の水溶性化力は上記第1の工程における上記第1の部分の酸化力よりも高いことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304

FI (2件)：

H01L 21/304 622 X ,  H01L 21/304 622 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 研磨剤および研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-055290   出願人：株式会社東芝
• 銅系金属用研磨液および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-263613   出願人：株式会社東芝
• 化合物半導体のための研磨液及びこれを用いた化合物半導体の研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-341276   出願人：日本エクシード株式会社
• 研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-299937   出願人：株式会社日立製作所