特許
J-GLOBAL ID：200903010139231016
3族窒化物半導体のドライエッチング方法及び素子
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-202998
公開番号（公開出願番号）：特開平10-032189
出願日： 1996年07月12日
公開日（公表日）： 1998年02月03日
要約：
【要約】【課題】保護膜又は金属膜の信頼性を向上させるエッチングを実現すること。【解決手段】GaN 層30の上にフォトレジスト40を塗布し、近接露光を行う。フォトレジスト40は、A-B,E-Fの間において完全に露光され、C-Dの間において全く露光されない。B-C,D-Eの間は、光の回折現象のために、B又はEからC又はDにかけて、露光量が徐々に減少する。この結果、フォトレジスト40の露光部は、図1(b)の斜線部となり、現像すると、図2(a)に示すように、周辺部を、縁に向かう程、肉厚が薄く形成されたテーパ状に傾斜させることができる。マスク42を用いて、GaN をドライエッチングする。異方性エッチングにより、GaN 層30のエッチング側壁面は90度よりも小さい角度で傾斜した面となる。この結果、SiO2等で形成された保護膜44を、非エッチング面と側壁面とエッチング面とに一様な厚さで連続して形成できる。
請求項（抜粋）：
3族窒化物半導体のドライエッチング方法において、ドライエッチングすべき3族窒化物半導体の表面に、周辺部が、縁に向かう程、肉厚が薄く形成されたテーパ状に傾斜したマスクを形成する工程と、そのマスクにより前記3族窒化物半導体をドライエッチングする工程とからなり、前記3族窒化物半導体のエッチング側壁面を90度以下の角度で傾斜させることを特徴とする3族窒化物半導体のドライエッチング方法。
IPC (4件)：
H01L 21/3065
, G03F 7/40 521
, H01L 21/027
, H01L 33/00
H01L 21/302 L
, G03F 7/40 521
, H01L 33/00 C
, H01L 21/30 564 Z
, H01L 21/30 576
