特許
J-GLOBAL ID：200903010142585490

プロトン伝導体及びプロトン伝導体の製造方法

発明者：
福岡 宏

福岡 宏 について

, 
窪田 雄之

窪田 雄之 について


出願人/特許権者：
国立大学法人広島大学

国立大学法人広島大学 について


代理人 (1件)： 専徳院 博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-100251
公開番号（公開出願番号）：特開2009-252582
出願日： 2008年04月08日
公開日（公表日）： 2009年10月29日
要約：
【課題】安価に製造可能で100〜350°Cの中温度領域で高いプロトン伝導度を有するプロトン伝導体を提供する。【解決手段】本発明に係るプロトン伝導体は、一般式HaMbPcOd(ここで、Mは金属、a,b,c,dは自然数)で示される非晶質又は非晶質を主体とする遷移金属リン酸水素塩を主成分とするプロトン伝導体であり、特に100〜350°Cの中温度領域で高いプロトン伝導度を示す。さらに水蒸気処理を行うことにより、バインダーを使用することなく粒界のないガラス状のプロトン伝導体で得ることが可能であり、このような粒界のないガラス状のプロトン伝導体は、更に高いプロトン伝導度を有する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
一般式(1)で示される非晶質又は非晶質を主体とする遷移金属リン酸水素塩を主成分とすることを特徴とするプロトン伝導体。 HaMbPcOd・・・(1) (ここで、Mは金属、a,b,c,dは自然数)
IPC (3件)：
H01B 1/06 ,  H01M 8/02 ,  H01B 13/00
FI (3件)：
H01B1/06 ,  H01M8/02 M ,  H01B13/00 Z
Fターム (14件)：
5G301CA01 ,  5G301CA19 ,  5G301CA30 ,  5G301CD01 ,  5G301CE02 ,  5H026AA06 ,  5H026BB01 ,  5H026BB02 ,  5H026BB03 ,  5H026BB06 ,  5H026EE11 ,  5H026EE13 ,  5H026HH00 ,  5H026HH08
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (2件)

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