特許
J-GLOBAL ID：200903010155630672
高分子錯体及び高分子錯体の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (3件)：
岸本 達人
, 星野 哲郎
, 山下 昭彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-057614
公開番号（公開出願番号）：特開2008-214318
出願日： 2007年03月07日
公開日（公表日）： 2008年09月18日
要約：
【課題】三次元的に規則正しく整列した細孔を有する新規高分子錯体及びその製造方法を提供する。【解決手段】少なくとも中心金属としての亜鉛イオン及び三座配位子から構成され、前記亜鉛イオンに前記三座配位子が配位してなる高分子錯体骨格をただ一つ有する三次元ネットワーク構造内に、三次元的に規則正しく整列した細孔を有することを特徴とする高分子錯体、並びに、臭化亜鉛(II)(ZnBr2)の溶液と、前記臭化亜鉛(II)の亜鉛に配位する配位結合部位を3つ有する三座配位子の溶液とを、液-液拡散法により接触させることによって前記請求項1に記載の高分子錯体の結晶を成長させることを特徴とする高分子錯体の製造方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
少なくとも中心金属としての亜鉛イオン及び三座配位子から構成され、前記亜鉛イオンに前記三座配位子が配位してなる高分子錯体骨格をただ一つ有する三次元ネットワーク構造内に、三次元的に規則正しく整列した細孔を有することを特徴とする高分子錯体。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (10件)：
4C063AA05
, 4C063BB01
, 4C063CC43
, 4C063DD12
, 4C063EE10
, 4H048AA01
, 4H048AB40
, 4H048AB80
, 4H048VA66
, 4H048VB10
