特許
J-GLOBAL ID：200903010172724397

プラズマプロセス装置

発明者：
山本 直子

山本 直子 について

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山本 達志

山本 達志 について

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平山 昌樹

平山 昌樹 について

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大見 忠弘

大見 忠弘 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について

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大見 忠弘

大見 忠弘 について


代理人 (1件)： 深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-106744
公開番号（公開出願番号）：特開2003-303810
出願日： 2002年04月09日
公開日（公表日）： 2003年10月24日
要約：
【要約】【課題】 必要な電源の出力を大きくすることなく、プラズマプロセスの均一性を向上させることが可能なプラズマプロセス装置を提供する。【解決手段】 プラズマプロセス装置は、プラズマを用いた処理を行う処理室1、2と、処理室1、2に接続され、処理室1、2に供給された反応ガスをプラズマ状態にするための電磁波を処理室に導入する、3つ以上の電磁波導入手段4a〜4d、5a〜5d、6a〜6dとを備え、処理室に隣接する領域において、3つ以上の電磁波導入手段4a〜4d、5a〜5d、6a〜6dのうち、隣接する2つの電磁波導入手段4a〜4d、5a〜5d、6a〜6dの組合せのうちの1つにおける隣接する電磁波導入手段4b、4c、5b、5c、6b、6cの間の距離X1は、組合せのうちの他の1つにおける隣接する電磁波導入手段4a、4b、5a、5b、6a、6bの間の距離X2と異なる。
請求項（抜粋）：
プラズマを用いた処理を行う処理室と、前記処理室に接続され、前記処理室に供給された反応ガスをプラズマ状態にするための電磁波を前記処理室に導入する、3つ以上の電磁波導入手段とを備え、前記処理室に隣接する領域において、前記3つ以上の電磁波導入手段のうち、隣接する2つの前記電磁波導入手段の組合せのうちの1つにおける隣接する前記電磁波導入手段の間の距離は、前記組合せのうちの他の1つにおける隣接する前記電磁波導入手段の間の距離と異なる、プラズマプロセス装置。
IPC (3件)：
H01L 21/3065 ,  C23C 16/511 ,  H05H 1/46
FI (3件)：
C23C 16/511 ,  H05H 1/46 B ,  H01L 21/302 101 D
Fターム (23件)：
4K030FA01 ,  4K030JA03 ,  4K030JA13 ,  4K030KA15 ,  4K030KA30 ,  4K030KA46 ,  4K030LA16 ,  4K030LA18 ,  5F004AA01 ,  5F004BA14 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB14 ,  5F004BB32 ,  5F004BD01 ,  5F004BD04 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F004DB09 ,  5F004EB01 ,  5F004EB03
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (4件)
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